公开(公告)号：CN106340444A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610534646.7

申请日：2016-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖振良 ,  梁嘉尧 ,  陈瑞龙 ,  林生元 ,  黄以理 ,  李国熙 ,  陈柏安

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4933 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02356 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体结构包括：隔离结构、栅极堆叠件、间隔件、和图案化的抗蚀保护氧化物。隔离结构形成在半导体衬底中并且使半导体衬底的器件区域电隔离。栅极结构位于隔离结构上。间隔件形成为沿着隔离结构上的栅极堆叠件的侧壁。图案化的抗蚀保护氧化物位于隔离结构上方并且覆盖间隔件的侧壁，使得间隔件介于图案化的抗蚀保护氧化物和栅极堆叠件之间。本发明还提供了隔离结构上具有抗蚀保护氧化物的半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN114464573A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110474624.7

申请日：2021-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈东煌 ,  陈彦羽 ,  陈柏安 ,  黄循康

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了一种制造具有金属栅极的半导体器件的方法和该半导体器件。该方法包括：提供与第一导电类型的晶体管相关的第一牺牲栅极和与第二导电类型的晶体管相关的第二牺牲栅极，其中，第一导电类型和第二导电类型互补。用第一金属栅极结构代替第一牺牲栅极；形成图案化的介电层和/或图案化的光致抗蚀剂层以覆盖第一金属栅极结构；用第二金属栅极结构代替第二牺牲栅极。该方法可以在两次金属栅极化学机械抛光过程中提高栅极高度均匀性。

公开(公告)号：CN111113255A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910933035.3

申请日：2019-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊宏 ,  王生城 ,  蔡振华 ,  庄金维 ,  蔡育奇 ,  陈柏安

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/015 ,  B24B53/017 ,  B24B57/02

Abstract: 一种用于预测半导体处理设备的一个或多个机械组件的不规律运动的系统及方法。一种机械运动不规律性预测系统包括一个或多个运动传感器，所述一个或多个运动传感器感测与半导体处理设备的至少一个机械组件相关联的运动相关参数。所述一个或多个运动传感器基于所感测到的运动相关参数输出感测信号。缺陷预测电路系统基于感测信号预测所述至少一个机械组件的不规律运动。

公开(公告)号：CN111113255B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201910933035.3

申请日：2019-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊宏 ,  王生城 ,  蔡振华 ,  庄金维 ,  蔡育奇 ,  陈柏安

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/015 ,  B24B53/017 ,  B24B57/02

Abstract: 一种用于预测半导体处理设备的一个或多个机械组件的不规律运动的系统及方法。一种机械运动不规律性预测系统包括一个或多个运动传感器，所述一个或多个运动传感器感测与半导体处理设备的至少一个机械组件相关联的运动相关参数。所述一个或多个运动传感器基于所感测到的运动相关参数输出感测信号。缺陷预测电路系统基于感测信号预测所述至少一个机械组件的不规律运动。