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公开(公告)号：CN101829953B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201010113786.X
申请日：2010-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B57/02
Abstract: 一种化学机械抛光方法及设备提供了可变形的伸缩抛光液分配器臂，该分配器臂连接到分配器头上，分配器头可以为拱形并且还可以是可弯曲的伸缩元件，可以调整该伸缩元件从而改变分配器头的抛光液分配口数量以及曲率程度。分配器臂中可以额外地包括抛光液分配口。分配器臂可以优选由互相可滑动的多个嵌套管形成。可调节分配器臂可以关于旋转点旋转，并能够改变位置以适应用于不同尺寸抛光衬底的不同尺寸的抛光垫，并且可弯曲拉伸的抛光液分配器臂和分配器头在各种情况下可以向任何不同的晶片抛光位置提供了均匀的抛光液分布，有效的抛光液使用以及均匀的抛光液外形。
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公开(公告)号：CN103009236A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210045566.7
申请日：2012-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于制造半导体器件的装置。该装置包括用于对晶圆实施抛光工艺的抛光头。该装置包括可旋转地连接至抛光头的保持环。保持环可用于紧固将被抛光的晶圆。该装置包括位于保持环内的软材料部件。软材料部件比硅软。软材料部件用于在抛光工艺期间研磨晶圆的倾斜区域。该装置包括可旋转地连接至抛光头的喷嘴。喷嘴用于在抛光工艺期间向晶圆的倾斜区域散布清洁溶液。本发明还提供了用于在半导体制造中实施抛光工艺的方法和装置。
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公开(公告)号：CN103009236B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210045566.7
申请日：2012-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于制造半导体器件的装置。该装置包括用于对晶圆实施抛光工艺的抛光头。该装置包括可旋转地连接至抛光头的保持环。保持环可用于紧固将被抛光的晶圆。该装置包括位于保持环内的软材料部件。软材料部件比硅软。软材料部件用于在抛光工艺期间研磨晶圆的倾斜区域。该装置包括可旋转地连接至抛光头的喷嘴。喷嘴用于在抛光工艺期间向晶圆的倾斜区域散布清洁溶液。本发明还提供了用于在半导体制造中实施抛光工艺的方法和装置。
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公开(公告)号：CN101320694A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810100540.1
申请日：2008-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/461 , H01L21/465 , B24B7/22
CPC classification number: B24B37/32
Abstract: 本发明涉及一种保持环及化学机械研磨装置，该保持环包括一圆环、多个沟槽及多个开口。该圆环具有一第一主表面、一第二主表面、一内边缘及一外边缘。所述多个沟槽设置于该第一主表面之中。每一个沟槽延伸通过该内边缘。每一个开口设置于每一个沟槽之中。本发明的化学机械研磨装置能够均匀且有效涂布研浆。
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公开(公告)号：CN115274545A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210425206.3
申请日：2022-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供了半导体结构和形成半导体结构的方法。方法包括接收具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在半导体衬底上方形成介电层；去除介电层的部分以在第一区域中形成介电结构，其中，介电结构包括基底结构和位于基底结构上方的多个第一隔离结构；形成覆盖第一区域和第二区域的半导体层；去除半导体层的部分以暴露多个第一隔离结构的顶表面；以及在第二区域中形成多个第二隔离结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101877303B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201010003512.5
申请日：2010-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供一种处理晶片的方法及使用该方法的半导体制造设备，该处理晶片的方法包括：测量表示晶片翘曲量的数据；根据翘曲量，决定至少两个不同的控制电压，并通过用以夹持上述晶片的静电式晶片座将控制电压施加至晶片的相应位置；以及当在晶片上执行工艺时，施加至少两个不同的控制电压，用以夹持晶片的相应位置。本发明可以减少基板应力、减少破片或平坦化基板，因此基板的所有区域均能合适地被聚焦。避免了晶片翘曲的非理想效应。
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公开(公告)号：CN101877303A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010003512.5
申请日：2010-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供一种处理晶片的方法及使用该方法的半导体制造设备，该处理晶片的方法包括：测量表示晶片翘曲量的数据；根据翘曲量，决定至少两个不同的控制电压，并通过用以夹持上述晶片的静电式晶片座将控制电压施加至晶片的相应位置；以及当在晶片上执行工艺时，施加至少两个不同的控制电压，用以夹持晶片的相应位置。本发明可以减少基板应力、减少破片或平坦化基板，因此基板的所有区域均能合适地被聚焦。避免了晶片翘曲的非理想效应。
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公开(公告)号：CN101829953A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010113786.X
申请日：2010-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B57/02
Abstract: 一种化学机械抛光方法及设备提供了可变形的伸缩抛光液分配器臂，该分配器臂连接到分配器头上，分配器头可以为拱形并且还可以是可弯曲的伸缩元件，可以调整该伸缩元件从而改变分配器头的抛光液分配口数量以及曲率程度。分配器臂中可以额外地包括抛光液分配口。分配器臂可以优选由互相可滑动的多个嵌套管形成。可调节分配器臂可以关于旋转点旋转，并能够改变位置以适应用于不同尺寸抛光衬底的不同尺寸的抛光垫，并且可弯曲拉伸的抛光液分配器臂和分配器头在各种情况下可以向任何不同的晶片抛光位置提供了均匀的抛光液分布，有效的抛光液使用以及均匀的抛光液外形。
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公开(公告)号：CN1523461A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200310103619.7
申请日：2003-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B11/00
CPC classification number: B24B37/04 , B24B57/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供一种研磨浆臂(Slurry Arm)自动控制装置及方法。此研磨浆臂自动控制装置至少包括移动马达、信号处理控制板、以及移除率接收器程序。此研磨浆臂自动控制方法为通过计算机整合制造(Computer Integrated Manufacturing；CIM)系统传输测试晶圆的厚度信息至信号处理控制板，再利用信号处理控制板内的移除率接收器程序计算出研磨浆臂的适当位置，然后利用移动马达将研磨浆臂移动至所计算出的适当位置以进行研磨。
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公开(公告)号：CN114464573A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110474624.7
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 公开了一种制造具有金属栅极的半导体器件的方法和该半导体器件。该方法包括：提供与第一导电类型的晶体管相关的第一牺牲栅极和与第二导电类型的晶体管相关的第二牺牲栅极，其中，第一导电类型和第二导电类型互补。用第一金属栅极结构代替第一牺牲栅极；形成图案化的介电层和/或图案化的光致抗蚀剂层以覆盖第一金属栅极结构；用第二金属栅极结构代替第二牺牲栅极。该方法可以在两次金属栅极化学机械抛光过程中提高栅极高度均匀性。
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