半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN106653846B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201610712894.6

    申请日:2016-08-24

    Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法中,形成掺杂第一掺杂物的一掺杂层于一基底上。形成一半导体层于掺杂层上。通过至少图案化半导体层及掺杂层而形成一鳍结构,使鳍结构包括具有半导体层的沟道区及具有掺杂层的阱区。形成一隔离绝缘层,使鳍结构的沟道区突出于隔离绝缘层,而鳍结构的阱区埋入于隔离绝缘层内。形成一栅极结构于部分的鳍结构及隔离绝缘层上方。半导体层至少为掺杂的硅层及未掺杂的硅层的其中之一者。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN106653846A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201610712894.6

    申请日:2016-08-24

    Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法中,形成掺杂第一掺杂物的一掺杂层于一基底上。形成一半导体层于掺杂层上。通过至少图案化半导体层及掺杂层而形成一鳍结构,使鳍结构包括具有半导体层的沟道区及具有掺杂层的阱区。形成一隔离绝缘层,使鳍结构的沟道区突出于隔离绝缘层,而鳍结构的阱区埋入于隔离绝缘层内。形成一栅极结构于部分的鳍结构及隔离绝缘层上方。半导体层至少为掺杂的硅层及未掺杂的硅层的其中之一者。

    制作半导体装置的方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106653692A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201610900567.3

    申请日:2016-10-17

    Abstract: 本发明揭露一种制作半导体装置的方法。于制作半导体装置的方法中,掺杂层是形成于基材中。形成接触掺杂层的阻绝层。半导体层是形成于基材和阻绝层上。通过图案化半导体层、阻绝层和掺杂层,来形成鳍片式结构,而使鳍片式结构包含具有半导体层的通道区域和具有掺杂层的井区域。形成隔离绝缘层,而使鳍片式结构的第一部分从隔离绝缘层突伸出,且鳍片式结构的第二部分嵌入至隔离绝缘层中。栅极结构是形成于鳍片式结构和隔离绝缘层上。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN108257944B

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201710576065.4

    申请日:2017-07-14

    Abstract: 半导体器件包括具有第一导电类型的衬底、在衬底中形成并且具有第二导电类型的第一阱、在第一阱中形成并且具有第一导电类型的第一扩散区域、设置在第一阱和第一扩散区域上方的第一层间介电层以及由导电材料形成并且嵌入在第一层间介电层内的电阻线。在平面图中,电阻线与第一扩散区域重叠并且与第一阱至少部分重叠。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN108257944A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201710576065.4

    申请日:2017-07-14

    Abstract: 半导体器件包括具有第一导电类型的衬底、在衬底中形成并且具有第二导电类型的第一阱、在第一阱中形成并且具有第一导电类型的第一扩散区域、设置在第一阱和第一扩散区域上方的第一层间介电层以及由导电材料形成并且嵌入在第一层间介电层内的电阻线。在平面图中,电阻线与第一扩散区域重叠并且与第一阱至少部分重叠。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

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