公开(公告)号：CN113764317A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110073868.4

申请日：2021-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈东煌 ,  龚啟豪 ,  陈彦羽

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67

Abstract: 一种处理基板的方法、基板舟以及热处理系统，用于半导体晶圆热处理中的基板舟包括用于在例如炉的处理工具中以一水平定向支撑一基板的支撑杆及指形件。该基板通过位于一共同水平面中的指形件组支撑在该基板舟中。这些指形件在该基板的背侧上的支撑位置处接触该基板。这些指形件具有多个不同形状及一基板表面非接触区域。

公开(公告)号：CN116528586A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310066295.1

申请日：2023-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王舜能 ,  陈东煌 ,  高境鸿

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B41/50

Abstract: 一种快闪记忆体及其制造方法，快闪记忆体包括具有沿第一方向延伸的源极区的快闪记忆体单元线性阵列。各个快闪记忆体单元包括邻接源极区设置的浮动栅极。快闪记忆体单元线性阵列进一步包括设置于快闪记忆体单元的浮动栅极之间的隔离带。抹除栅极线沿第一方向延伸并设置于源极区上方。控制栅极线沿第一方向延伸并设置于隔离带上方及快闪记忆体单元的浮动栅极上方。控制栅极线具有近接于源极区的非直边缘，非直边缘至少在控制栅极线设置于隔离带上方的地方缩进远离源极区。

公开(公告)号：CN114464573A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110474624.7

申请日：2021-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈东煌 ,  陈彦羽 ,  陈柏安 ,  黄循康

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了一种制造具有金属栅极的半导体器件的方法和该半导体器件。该方法包括：提供与第一导电类型的晶体管相关的第一牺牲栅极和与第二导电类型的晶体管相关的第二牺牲栅极，其中，第一导电类型和第二导电类型互补。用第一金属栅极结构代替第一牺牲栅极；形成图案化的介电层和/或图案化的光致抗蚀剂层以覆盖第一金属栅极结构；用第二金属栅极结构代替第二牺牲栅极。该方法可以在两次金属栅极化学机械抛光过程中提高栅极高度均匀性。