公开(公告)号：CN103970924B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201310178036.4

申请日：2013-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阿米特·孔杜 ,  洪照俊 ,  彭永州 ,  杨世丞 ,  林忠凯

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了一种用于设计集成电路并且预测金属氧化物半导体(MOS)阵列中的电流失配的系统和方法。选择MOS阵列中的第一单元子集并且对于这些单元中的每个单元测量电流。确定用于第一单元子集中的每个单元的电流相对于参考单元的电流的标准差。可以使用用于第一子集中的一个或多个单元的电流的被确定的标准差来确定局部变化的标准差。然后，可以确定在阵列的x和/或y方向上由例如多晶硅密度梯度效应所导致的变化的标准差，并且通过其确定用于阵列中的任何单元的电流失配。本发明还提供了用于预测金属氧化物半导体阵列中的电流失配的分析模型。

公开(公告)号：CN103970924A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310178036.4

申请日：2013-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阿米特·孔杜 ,  洪照俊 ,  彭永州 ,  杨世丞 ,  林忠凯

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036 ,  G06F17/5072 ,  G06F2217/10 ,  G06F2217/78 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明提供了一种用于设计集成电路并且预测金属氧化物半导体(MOS)阵列中的电流失配的系统和方法。选择MOS阵列中的第一单元子集并且对于这些单元中的每个单元测量电流。确定用于第一单元子集中的每个单元的电流相对于参考单元的电流的标准差。可以使用用于第一子集中的一个或多个单元的电流的被确定的标准差来确定局部变化的标准差。然后，可以确定在阵列的x和/或y方向上由例如多晶硅密度梯度效应所导致的变化的标准差，并且通过其确定用于阵列中的任何单元的电流失配。本发明还提供了用于预测金属氧化物半导体阵列中的电流失配的分析模型。