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公开(公告)号：CN101950728B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010226312.6
申请日：2010-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/1182 , H01L2224/11849 , H01L2224/11906 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13562 , H01L2224/136 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
Abstract: 本发明公开了一种金属柱凸块结构及其形成方法，该方法包括：形成一保护层于一半导体基板之上；形成一导电层于该保护层之上；提供经图案化与经过蚀刻的一阻剂层于该导电层之上，该阻剂层中定义有至少一开口；沉积一金属层于该至少一开口内；沿着介于该阻剂层与该金属层间的一或多个界面蚀刻部分的该阻剂层，以形成多个凹穴；沉积一焊锡材料于该至少一开口内，该焊锡材料填入所述多个凹穴内以及高于该金属层的该开口的一部内；移除剩余的该阻剂层与未形成于该金属层之下的该导电层；以及回焊该焊锡材料以包覆该金属层。本发明可于制造过程中保护金属柱凸块的侧壁。
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公开(公告)号：CN101950728A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010226312.6
申请日：2010-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/1182 , H01L2224/11849 , H01L2224/11906 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13562 , H01L2224/136 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
Abstract: 本发明公开了一种金属柱凸块结构及其形成方法，该方法包括：形成一保护层于一半导体基板之上；形成一导电层于该保护层之上；提供经图案化与经过蚀刻的一阻剂层于该导电层之上，该阻剂层中定义有至少一开口；沉积一金属层于该至少一开口内；沿着介于该阻剂层与该金属层间的一或多个界面蚀刻部分的该阻剂层，以形成多个凹穴；沉积一焊锡材料于该至少一开口内，该焊锡材料填入所述多个凹穴内以及高于该金属层的该开口的一部内；移除剩余的该阻剂层与未形成于该金属层之下的该导电层；以及回焊该焊锡材料以包覆该金属层。本发明可于制造过程中保护金属柱凸块的侧壁。
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公开(公告)号：CN102543868B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110217321.3
申请日：2011-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/009 , B23K26/18 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , H01L23/585 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2924/01019 , H01L2924/14 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 本发明的实施例包括一种切割半导体结构的方法。在半导体衬底上方提供器件层。器件层具有第一芯片区域和第二芯片区域。划线区域位于第一芯片区域和第二芯片区域之间。保护层形成在器件层上方。从而形成在半导体衬底的上方。对划线区域之上的保护层进行激光切割，以形成切口。切口延伸至半导体衬底中，并且将保护层形成为覆盖部分切口。穿过保护层的部分和衬底，进行机械切割，以将第一芯片区域和第二芯片区域分离。
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公开(公告)号：CN102543868A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110217321.3
申请日：2011-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/009 , B23K26/18 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , H01L23/585 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2924/01019 , H01L2924/14 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 本发明的实施例包括一种切割半导体结构的方法。在半导体衬底上方提供器件层。器件层具有第一芯片区域和第二芯片区域。划线区域位于第一芯片区域和第二芯片区域之间。保护层形成在器件层上方。从而形成在半导体衬底的上方。对划线区域之上的保护层进行激光切割，以形成切口。切口延伸至半导体衬底中，并且将保护层形成为覆盖部分切口。穿过保护层的部分和衬底，进行机械切割，以将第一芯片区域和第二芯片区域分离。
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