公开(公告)号：CN109119382B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201711278321.8

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张碧兰 ,  陈承先 ,  古进誉 ,  陈旭贤 ,  黄威志 ,  林峻莹 ,  周立婕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 提供一种封装结构，所述封装结构包括线路衬底、半导体管芯、重布线层、及多个导电球。所述重布线层设置在所述半导体管芯上，且电连接到所述半导体管芯。所述多个导电球设置在所述重布线层与所述线路衬底之间。所述半导体管芯通过所述多个导电球电连接到所述线路衬底。所述多个导电球中的每一者具有：球脚部，具有第一宽度D1；球头部，具有第三宽度D3；以及球腰部，具有第二宽度D2且位于所述球脚部与所述球头部之间。所述球脚部连接到所述重布线层，所述球头部连接到所述线路衬底，且所述球腰部是所述多个导电球中的每一者的最窄部分。据此，来自线路衬底或管芯的应力可被传递到球腰部，从而缓解球头部或球脚部处的应力或应变。

公开(公告)号：CN102543868A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110217321.3

申请日：2011-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 古进誉 ,  游秀美 ,  林峻莹 ,  连永昌 ,  邱圣翔 ,  于达人

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/009 ,  B23K26/18 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  H01L23/585 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明的实施例包括一种切割半导体结构的方法。在半导体衬底上方提供器件层。器件层具有第一芯片区域和第二芯片区域。划线区域位于第一芯片区域和第二芯片区域之间。保护层形成在器件层上方。从而形成在半导体衬底的上方。对划线区域之上的保护层进行激光切割，以形成切口。切口延伸至半导体衬底中，并且将保护层形成为覆盖部分切口。穿过保护层的部分和衬底，进行机械切割，以将第一芯片区域和第二芯片区域分离。

公开(公告)号：CN109119382A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201711278321.8

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张碧兰 ,  陈承先 ,  古进誉 ,  陈旭贤 ,  黄威志 ,  林峻莹 ,  周立婕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 提供一种封装结构，所述封装结构包括线路衬底、半导体管芯、重布线层、及多个导电球。所述重布线层设置在所述半导体管芯上，且电连接到所述半导体管芯。所述多个导电球设置在所述重布线层与所述线路衬底之间。所述半导体管芯通过所述多个导电球电连接到所述线路衬底。所述多个导电球中的每一者具有：球脚部，具有第一宽度D1；球头部，具有第三宽度D3；以及球腰部，具有第二宽度D2且位于所述球脚部与所述球头部之间。所述球脚部连接到所述重布线层，所述球头部连接到所述线路衬底，且所述球腰部是所述多个导电球中的每一者的最窄部分。据此，来自线路衬底或管芯的应力可被传递到球腰部，从而缓解球头部或球脚部处的应力或应变。

公开(公告)号：CN102543868B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201110217321.3

申请日：2011-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 古进誉 ,  游秀美 ,  林峻莹 ,  连永昌 ,  邱圣翔 ,  于达人

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/009 ,  B23K26/18 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  H01L23/585 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明的实施例包括一种切割半导体结构的方法。在半导体衬底上方提供器件层。器件层具有第一芯片区域和第二芯片区域。划线区域位于第一芯片区域和第二芯片区域之间。保护层形成在器件层上方。从而形成在半导体衬底的上方。对划线区域之上的保护层进行激光切割，以形成切口。切口延伸至半导体衬底中，并且将保护层形成为覆盖部分切口。穿过保护层的部分和衬底，进行机械切割，以将第一芯片区域和第二芯片区域分离。