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公开(公告)号：CN102044489A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010203807.7
申请日：2010-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L21/306 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464
Abstract: 本发明提供了一种用于制造集成电路的方法。该方法包括：处理衬底的第一表面以制造集成电路，以及研磨衬底的第二表面以去除材料直到衬底基本接近于所期望的厚度。该方法还包括在衬底的第二表面上方进行湿刻蚀工艺，并且在衬底的第二表面上方进行化学机械抛光(CMP)工艺，以去除衬底上的图案。使用计量仪器检验衬底的第二表面以确定第二表面是否基本平滑；如果第二表面不是基本平滑的，则重复进行CMP工艺和使用计量仪器检验第二表面的步骤，直到第二表面基本平滑。本发明还提供了一种使用阿尔法步进光刻机生产无图案衬底以保证效果的工艺。
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公开(公告)号：CN102044489B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201010203807.7
申请日：2010-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L21/306 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464
Abstract: 本发明提供了一种用于制造集成电路的方法。该方法包括：处理衬底的第一表面以制造集成电路，以及研磨衬底的第二表面以去除材料直到衬底基本接近于所期望的厚度。该方法还包括在衬底的第二表面上方进行湿刻蚀工艺，并且在衬底的第二表面上方进行化学机械抛光(CMP)工艺，以去除衬底上的图案。使用计量仪器检验衬底的第二表面以确定第二表面是否基本平滑；如果第二表面不是基本平滑的，则重复进行CMP工艺和使用计量仪器检验第二表面的步骤，直到第二表面基本平滑。本发明还提供了一种使用阿尔法步进光刻机生产无图案衬底以保证效果的工艺。
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公开(公告)号：CN118843390A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410757852.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N97/00
Abstract: 制造金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的方法包括：形成图案化金属层；将介电材料设置在图案化金属层上；蚀刻一或多个深沟槽以穿过介电材料到图案化金属层；在介电材料上且在介电材料中所形成的一或多个深沟槽里面沉积MIM多层；以及制造至少一个三维金属‑绝缘体‑金属(3D‑MIM)电容器，其包括沉积在一或多个深沟槽中的至少一者里面的MIM多层的一部分；以及制造至少一个第二电容器，其包含至少一个浅3D‑MIM电容器，其包括沉积在一或多个浅沟槽里面的MIM多层的一部分，一或多个浅沟槽部分穿过介电材料且比一或多个深沟槽还浅，及/或至少一个二维金属‑绝缘体‑金属(2D‑MIM)电容器，其包括沉积在介电材料上的MIM多层的一部分。
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公开(公告)号：CN117012793A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310530997.0
申请日：2023-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及CMOS图像传感器。一种图像传感器，包括：衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面；图像像素区域；以及黑色电平校准(BLC)区域，邻近图像像素区域。BLC区域包括：暗电流感测电路，包括设置在衬底中的光电二极管；第一密封环，设置在第二表面之上并在平面视图中围绕图像像素区域；第二密封环，设置在第二表面之上并在平面视图中围绕图像像素区域，使得暗电流感测电路设置在第一密封环和第二密封环之间；不透明覆盖，设置在第一表面之上并覆盖暗电流感测电路、第一密封环和第二密封环；以及一个或多个第一沟槽隔离结构，从第一表面延伸到衬底的内部，并设置在第一密封环和不透明覆盖之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107046043B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201611237958.8
申请日：2016-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种形成具有以前侧至背侧配置连接的层级的多维集成芯片的方法以及相关的装置。在一些实施例中，通过在第一衬底内形成一个或多个半导体器件，在第二衬底内形成一个或多个图像感测元件，以及通过接合结构将第一衬底上方的第一介电结构接合至第二衬底的背侧来实施该方法。形成包括多个不同部分且延伸穿过接合结构和第二衬底的层间互连结构，多个不同部分分别具有不同侧壁角度的侧壁。层间互连结构配置为将第一衬底上方的第一金属互连层电连接至第二衬底上方的第二金属互连层。本发明实施例涉及具有层间互连件的堆叠衬底结构。
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公开(公告)号：CN107046043A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611237958.8
申请日：2016-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种形成具有以前侧至背侧配置连接的层级的多维集成芯片的方法以及相关的装置。在一些实施例中，通过在第一衬底内形成一个或多个半导体器件，在第二衬底内形成一个或多个图像感测元件，以及通过接合结构将第一衬底上方的第一介电结构接合至第二衬底的背侧来实施该方法。形成包括多个不同部分且延伸穿过接合结构和第二衬底的层间互连结构，多个不同部分分别具有不同侧壁角度的侧壁。层间互连结构配置为将第一衬底上方的第一金属互连层电连接至第二衬底上方的第二金属互连层。本发明实施例涉及具有层间互连件的堆叠衬底结构。
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公开(公告)号：CN103107175B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210239820.7
申请日：2012-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/1462 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供了半导体图像传感器器件。图像传感器器件包括半导体衬底，其包括阵列区域和黑电平校正区域。阵列区域包括多个辐射感测像素。黑电平校正区域包括一个或者多个基准像素。衬底具有前侧和背侧。图像传感器器件包括形成在衬底背侧的第一压缩应力层。第一压缩应力层包括氮化硅。图像传感器器件包括形成与压缩应力层上的金属防护罩。金属防护罩形成在黑电平校正区域的至少一部分上。图像传感器器件包括形成在金属防护罩以及第一压缩应力层上的第二压缩应力层。第二压缩应力层包括氧化硅。金属防护罩的侧壁由第二压缩应力层保护。本发明还公开了具有改进的暗电流性能的图像传感器。
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公开(公告)号：CN103107175A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210239820.7
申请日：2012-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/1462 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供了半导体图像传感器器件。图像传感器器件包括半导体衬底，其包括阵列区域和黑电平校正区域。阵列区域包括多个辐射感测像素。黑电平校正区域包括一个或者多个基准像素。衬底具有前侧和背侧。图像传感器器件包括形成在衬底背侧的第一压缩应力层。第一压缩应力层包括氮化硅。图像传感器器件包括形成与压缩应力层上的金属防护罩。金属防护罩形成在黑电平校正区域的至少一部分上。图像传感器器件包括形成在金属防护罩以及第一压缩应力层上的第二压缩应力层。第二压缩应力层包括氧化硅。金属防护罩的侧壁由第二压缩应力层保护。本发明还公开了具有改进的暗电流性能的图像传感器。
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公开(公告)号：CN222396003U
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202420748109.2
申请日：2024-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种互补性金属氧化物半导体影像感测器，包含单位像素阵列，单位像素阵列包含光电二极管阵列、彩色滤光阵列、微透镜阵列及横向分离相邻彩色滤光器的栅格隔离结构。栅格隔离结构包含第一低n栅格、第二低n栅格及金属栅格，第一低n栅格比第二低n栅格窄。彩色滤光阵列包含彩色滤光矩阵，所有彩色滤光矩阵具有相同的配置图案。每一彩色滤光矩阵中彩色滤光器的尺寸取决于彩色滤光矩阵中彩色滤光器的位置而变化。在边缘部分中，平面图中彩色滤光矩阵的中心与对应单位像素矩阵的中心之间的距离取决于单位像素矩阵在CMOS影像感测器中的位置而变化。
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