公开(公告)号：CN109427595B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201811013050.8

申请日：2018-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许育荣

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 一种鳍型场效晶体管装置及其形成方法，该方法包括：在基板上方形成鳍状物；在鳍状物附近形成隔离区域；在鳍状物上方形成虚设栅极结构；以第一蚀刻工艺凹蚀邻近于虚设栅极结构的鳍状物，以形成第一凹陷；以第二蚀刻工艺来重新塑形第一凹陷以形成重新塑形的第一凹陷，其中第二蚀刻工艺蚀刻邻近于第一凹陷的顶部的鳍状物的上半部比第二蚀刻工艺蚀刻邻近于第一凹陷的底部的鳍状物的下半部更多蚀刻量，且在重新塑形的第一凹陷中外延成长源极/漏极区域。重新塑形第一凹陷的步骤包括执行氧化蚀刻工艺，其中氧化蚀刻工艺在第一凹陷内形成多孔材料层。

公开(公告)号：CN101414632B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200810161098.3

申请日：2008-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  许育荣 ,  叶震南 ,  张正宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体结构，即一种鳍式场效应晶体管，其包括：一鳍状半导体，位于一基材的上表面，其中该半导体鳍包括一中间区，其具有一第一宽度；以及一第一与一第二末端区，连接到该中间区的相对两端，其中该第一与第二末端区各包括至少一顶端部分，具有一第二宽度大于该第一宽度。该半导体结构还包括一栅极介电层，位于该鳍状半导体中间区的上表面与侧壁上；以及一栅极电极，位于该栅极介电层上。本发明可扩大半导体鳍式场效应晶体管的源极与漏极区，以及在不需提供更多芯片区域的价格前提下，降低源极与漏极区的电阻。

公开(公告)号：CN101752258A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910142924.4

申请日：2009-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张正宏 ,  许育荣 ,  李陈毅 ,  洪士庭 ,  叶震南 ,  余振华

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明是有关于一种形成半导体结构的方法，该方法包括提供复合基材，其中复合基材包括有主体硅基材与紧邻于主体硅基材之上的硅锗层。对硅锗层执行第一缩合以形成缩合硅锗层，藉以使得缩合硅锗层具有实质均匀的锗浓度。蚀刻缩合硅锗层与主体硅基材的顶端部分以形成复合鳍片，其中复合鳍片包括硅鳍片与位在硅鳍片上的缩合硅锗鳍片。该方法更包括氧化硅鳍片的一部分，以及对缩合硅锗鳍片执行第二缩合。

公开(公告)号：CN103606559B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201310420431.9

申请日：2008-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张正宏 ,  叶震南 ,  许育荣

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L29/20 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，为了减少因接触元件误对准造成的接触阻值的变化。该方法包括：形成一非平面晶体管于一基材上，该非平面晶体管包括位于一鳍之中的源极/漏极区，该鳍包括一顶面及多个侧壁；形成一层间介电层于该非平面晶体管上，其中该层间介电层具有一最大高度；形成一开口，其仅穿越该层间介电层的最大高度的一部分，并暴露出该鳍的该顶面的至少一部分及所述侧壁的至少一部分；以及填充一导电材料于该开口，以形成该源极/漏极区之一的接触组件，该接触组件与该鳍的该顶面及所述侧壁相接触。本发明减少了接触阻值，同时在制造过程中减少了接触元件的误对准。

公开(公告)号：CN101924133B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201010148509.2

申请日：2010-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许育荣 ,  余振华 ,  叶震南

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供了一种鳍式FET及其制造方法。鳍式场效应晶体管包括设置在衬底上方的鳍。栅极设置在鳍的沟道部分上方。源极区域设置在鳍的第一端。漏极区域设置在鳍的第二端。源极区域和漏极区域通过至少一个气隙与衬底隔开。

公开(公告)号：CN101414621A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810212853.6

申请日：2008-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张正宏 ,  叶震南 ,  许育荣

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L29/20 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L2029/7858

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，为了减少因接触元件误对准造成的接触阻值的变化。本发明优选具体实施例包括一非平面晶体管，其中该非平面晶体管包括位于一鳍之中的源极/漏极区域；一层间介电层，位于该非平面晶体管上；以及所述多个接触元件，穿过该层间介电层以形成到源极/漏极区域。所述多个接触元件优选与该鳍的多个表面接触，以便增加所述多个接触元件与该鳍之间的接触面积。本发明减少了接触阻值，同时在制造过程中减少了接触元件的误对准。

公开(公告)号：CN103149810B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201210511145.9

申请日：2012-12-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许育荣 ,  吴松勋 ,  黄国彬

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67115

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成经图案化的光刻胶层；对经图案化的光刻胶层实施等离子体灰化工艺，从而去除经图案化的光刻胶层的一部分；使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧，从而去除经图案化的光刻胶层的其他部分；以及在使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧之后，实施经图案化的光刻胶层的清洁。本发明提供了去除光刻胶的技术。

公开(公告)号：CN101752258B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200910142924.4

申请日：2009-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张正宏 ,  许育荣 ,  李陈毅 ,  洪士庭 ,  叶震南 ,  余振华

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明是有关于一种形成半导体结构的方法，该方法包括提供复合基材，其中复合基材包括有主体硅基材与紧邻于主体硅基材之上的硅锗层。对硅锗层执行第一缩合以形成缩合硅锗层，藉以使得缩合硅锗层具有实质均匀的锗浓度。蚀刻缩合硅锗层与主体硅基材的顶端部分以形成复合鳍片，其中复合鳍片包括硅鳍片与位在硅鳍片上的缩合硅锗鳍片。该方法更包括氧化硅鳍片的一部分，以及对缩合硅锗鳍片执行第二缩合。

公开(公告)号：CN101414632A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810161098.3

申请日：2008-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  许育荣 ,  叶震南 ,  张正宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体结构，即一种鳍式场效应晶体管，其包括：一鳍状半导体，位于一基材的上表面，其中该半导体鳍包括一中间区，其具有一第一宽度；以及一第一与一第二末端区，连接到该中间区的相对两端，其中该第一与第二末端区各包括至少一顶端部分，具有一第二宽度大于该第一宽度。该半导体结构还包括一栅极介电层，位于该鳍状半导体中间区的上表面与侧壁上；以及一栅极电极，位于该栅极介电层上。本发明可扩大半导体鳍式场效应晶体管的源极与漏极区，以及在不需提供更多芯片区域的价格前提下，降低源极与漏极区的电阻。

公开(公告)号：CN104538305B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201410665896.5

申请日：2010-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许育荣 ,  余振华 ,  陈昭成 ,  蔡明桓 ,  林宪信 ,  宋学昌

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明提供一种半导体组件及其制造方法，半导体组件包含半导体基材、栅极结构位于部分的基材上、以及数个应变结构位于此部分基材的任一边上且由不同于半导体基材的半导体材料所构成。此部分的基材为T字型，而具有一水平区与一垂直区，此垂直区自水平区而以一方向远离基材的表面。