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公开(公告)号：CN105448661A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510464458.7
申请日：2015-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 描述了用于IC制造的清洁诸如半导体衬底的方法，包括利用酸和碱中的一种以及臭氧的第一混合物、接下来通过酸和碱中的另一种以及臭氧的第二混合物清洁半导体衬底。清洁混合物可进一步包括去离子水。在一个实施例中，混合物被喷射到加热的衬底表面上。酸可以是HF，以及碱可以是NH4OH。本发明提供了一种用于半导体器件制造的清洁方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108122753A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710368883.5
申请日：2017-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311
Abstract: 为图案化栅极，先沉积芯材并图案化芯材。在一实施例中，上述图案化芯材的方法为进行第一蚀刻工艺以得粗略的目标，接着进行蚀刻参数不同的第二蚀刻工艺以得精确的目标。芯之后可用于形成间隔物，且间隔物接着可作为图案化栅极的掩模。
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公开(公告)号：CN112216598A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010904537.6
申请日：2015-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 描述了用于IC制造的清洁诸如半导体衬底的衬底的方法，包括利用酸和碱中的一种以及臭氧的第一混合物、接下来通过酸和碱中的另一种以及臭氧的第二混合物清洁半导体衬底。清洁混合物可进一步包括去离子水。在一个实施例中，混合物被喷射到加热的衬底表面上。酸可以是HF，以及碱可以是NH4OH。本发明提供了一种用于半导体器件制造的清洁方法。
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公开(公告)号：CN103149810A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210511145.9
申请日：2012-12-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/42 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC classification number: G03F7/42 , G03F7/423 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/67115
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成经图案化的光刻胶层；对经图案化的光刻胶层实施等离子体灰化工艺，从而去除经图案化的光刻胶层的一部分；使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧，从而去除经图案化的光刻胶层的其他部分；以及在使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧之后，实施经图案化的光刻胶层的清洁。本发明提供了去除光刻胶的技术。
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公开(公告)号：CN108122753B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201710368883.5
申请日：2017-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311
Abstract: 为图案化栅极，先沉积芯材并图案化芯材。在一实施例中，上述图案化芯材的方法为进行第一蚀刻工艺以得粗略的目标，接着进行蚀刻参数不同的第二蚀刻工艺以得精确的目标。芯之后可用于形成间隔物，且间隔物接着可作为图案化栅极的掩模。
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公开(公告)号：CN103149810B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210511145.9
申请日：2012-12-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/42 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC classification number: G03F7/42 , G03F7/423 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/67115
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成经图案化的光刻胶层；对经图案化的光刻胶层实施等离子体灰化工艺，从而去除经图案化的光刻胶层的一部分；使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧，从而去除经图案化的光刻胶层的其他部分；以及在使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧之后，实施经图案化的光刻胶层的清洁。本发明提供了去除光刻胶的技术。
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