公开(公告)号：CN100530688C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200410062639.9

申请日：2004-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L2029/7857

Abstract: 本发明揭露一种多重栅极晶体管，其包括一半导体鳍片形成于部分半导体块材基底上，一栅极介电质覆盖于部分半导体鳍片上，且一栅电极覆盖于该栅极介电质之上；一源极区与一漏极区相对形成于邻近栅电极的半导体鳍片上。于较佳实施例中，栅电极的底部表面较源极-基底接面或漏极-基底接面为低。

公开(公告)号：CN100499166C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610128863.2

申请日：2006-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛崇祜 ,  李文钦 ,  胡正明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及金属氧化物半导体元件的制作方法，其中通过在栅电极和源极/漏极上的硅化层选择性地施加应力，进而在该半导体结构的沟道选择性地施加应力。通过将硅化层晶粒的较大尺寸定位于第一方向以及将较小尺寸定位于第二方向以在此硅化层选择性地产生应力，该两方向之一是平行于沟道内载流子移动的方向，且另一方向是垂直于上述载流子移动的方向。用上述半导体元件的制作方法所制作的半导体元件，具有较好的载流子迁移能力，其半导体元件也具有较好的元件性能。

公开(公告)号：CN100495663C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200510125166.7

申请日：2005-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志豪 ,  王大维 ,  胡正明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)的制造方法，可在口袋掺杂与延伸掺杂完成后，于栅极侧壁形成超低温间隙壁；也可在超晕圈形成后，进行高斜角的延伸掺杂；或可在延伸掺杂后，进行固相外延，再进行低温制程，或者也可在进行口袋掺杂后，先进行热回火，然后再进行上述的延伸掺杂步骤；或者可先进行高能量低剂量的倾斜源极/漏极掺杂，再进行高剂量的源极/漏极掺杂。

公开(公告)号：CN100369263C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200410070489.6

申请日：2004-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志豪 ,  胡正明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明是关于一种具有高介电常数栅极介电层的半导体组件及其制造方法，其结构包括：一半导体台地，位于一平整的半导体基底上；一高介电常数栅极介电层，位于上述半导体台地上；以及一栅极导电层，位于上述高介电常数栅极介电层上，而上述半导体台地与半导体基底交接处可为一圆滑化的边角或一正交化的边角。

公开(公告)号：CN100369208C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200510064432.X

申请日：2005-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  陈豪育 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明涉及一种在半导体装置的多栅极晶体管上形成栅极电极的方法。该方法首先提供基底，其包含设于绝缘层上的半导体鳍片，及该半导体鳍片上形成的栅极介电质。并于该栅极介电质及该半导体鳍片上形成栅极材质，其形成的上表面不平坦。再将掺杂物注入该栅极材质中，并执行退火制程以活化该栅极材质的掺杂物。继之，执行平坦化制程使得该上表面平坦化。

公开(公告)号：CN101068028A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200610128863.2

申请日：2006-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛崇祜 ,  李文钦 ,  胡正明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及金属氧化物半导体元件的制作方法，其中通过在栅电极和源极/漏极上的硅化层选择性地施加应力，进而在该半导体结构的沟道选择性地施加应力。通过将硅化层晶粒的较大尺寸定位于第一方向以及将较小尺寸定位于第二方向以在此硅化层选择性地产生应力，该两方向之一是平行于沟道内载流子移动的方向，且另一方向是垂直于上述载流子移动的方向。用上述半导体元件的制作方法所制作的半导体元件，具有较好的载流子迁移能力，其半导体元件也具有较好的元件性能。

公开(公告)号：CN100334730C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200410055185.2

申请日：2004-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊杰 ,  李文钦 ,  杨育佳 ,  胡正明

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种形成于半导体基底上的组件或电路，其中该基底包括晶格常数不同的第一、第二半导体材料。一第一晶体管，包括相对邻接于源极以及漏极区的沟道区，且至少部分的源极以及漏极区形成在第二半导体材料中以于该晶体管中形成晶格失配区(lattice-mismatched zones)。将该第一晶体管与第二组件连接以形成一电路，例如：一反相器。其中，该第二组件可为第二晶体管，而该第二晶体管的导电态与第一晶体管或电阻不同。

公开(公告)号：CN1331239C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200410039243.2

申请日：2004-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L27/08 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7392

Abstract: 本发明是关于在先进的互补型金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor；CMOS)科技中，做静电放电保护的半导体二极管组件。本发明的减少漏损的半导体二极管，其中，二极管100形成于一绝缘层上有硅(Silicon-On-Insulator；SOI)的基材上，其包含一置于绝缘层142上的硅层。主动区形成于此硅层中，并包含以主体区110分隔的一p+型掺杂区108与一n+型掺杂区106。一高介电常数的栅极介电层114置于主体区110上，且一栅极112置于此栅极的介电层114上。举例来说，此二极管可用来做ESD保护。

公开(公告)号：CN1312758C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN02131611.2

申请日：2002-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  林俊杰 ,  杨富量 ,  梁孟松 ,  胡正明

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明涉及一种具有应变平衡结构的CMOS元件及其制造方法，首先提供一绝缘层上，该绝缘层上有硅层；其次，在此硅层上成长一硅锗层，其中此硅层处于双轴拉伸应变情况之下，而此硅锗层处于双轴压缩应变情况之下，以获得应变平衡结构；接著，在此硅锗层上形成一第二硅层，其中此第二硅层具有一第一厚度适用于一PMOS元件，及一第二厚度适用于一NMOS元件；然后，对于此基底施行图案化制程以定义出一PMOS元件区及一NMOS元件区；再者，在此第二硅层上形成栅极绝缘层；最后，在此栅极绝缘层上形成一栅极电极。

公开(公告)号：CN1293635C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN03156532.8

申请日：2003-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  陈豪育 ,  黄健朝 ,  李文钦 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/82 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7854

Abstract: 本发明主要提出两种不同型态的完全耗尽晶体管，并且将完全耗尽晶体管与部分耗尽晶体管整合于单一芯片上。可通过调整栅极层的长度，以决定平面晶体管是完全耗尽或是部分耗尽。完全耗尽晶体管的栅极层长度较部分耗尽晶体管的栅极层长度为长。或是通过调整晶体管有源区的宽度，以决定晶体管是完全耗尽或是部分耗尽。完全耗尽晶体管的有源区宽度较部分耗尽晶体管的有源区宽度为窄。不断地减少有源区的宽度，可以形成一多重栅极晶体管，当该多重栅极晶体管的有源区宽度减少至小于耗尽区宽度的两倍时，该多重栅极晶体管便是完全耗尽。如此一来，在单一芯片上就可同时制备完全耗尽晶体管与部分耗尽晶体管。