公开(公告)号：CN119947177A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510050658.1

申请日：2025-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张博钦 ,  吕旻轩 ,  江芃萱 ,  苏曼侬 ,  朱家宏 ,  陈姿蓓 ,  李沛桦 ,  卢炜业 ,  王菘豊 ,  林斌彦

IPC: H10D30/62 ,  H10D30/01

Abstract: 公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括衬底，设置在衬底上的第一源极/漏极(S/D)区域和第二源极/漏极区域，以及接触结构。接触结构包括设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一导电覆盖层和第二导电覆盖层、以及导电插塞。导电插塞包括设置在第一导电覆盖层和第二导电覆盖层的顶表面上的第一插塞部分，设置在第一导电覆盖层和第二导电覆盖层之间的第二插塞部分，和设置在第一S/D区域和第二S/D区域之间的第三插塞部分。