公开(公告)号：CN222396003U

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202420748109.2

申请日：2024-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨明宪 ,  翁伟智 ,  贾钧伟 ,  周俊豪 ,  杜泽宇 ,  杜建男 ,  卢俊良 ,  李国政

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种互补性金属氧化物半导体影像感测器，包含单位像素阵列，单位像素阵列包含光电二极管阵列、彩色滤光阵列、微透镜阵列及横向分离相邻彩色滤光器的栅格隔离结构。栅格隔离结构包含第一低n栅格、第二低n栅格及金属栅格，第一低n栅格比第二低n栅格窄。彩色滤光阵列包含彩色滤光矩阵，所有彩色滤光矩阵具有相同的配置图案。每一彩色滤光矩阵中彩色滤光器的尺寸取决于彩色滤光矩阵中彩色滤光器的位置而变化。在边缘部分中，平面图中彩色滤光矩阵的中心与对应单位像素矩阵的中心之间的距离取决于单位像素矩阵在CMOS影像感测器中的位置而变化。

公开(公告)号：CN222015413U

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202420095212.1

申请日：2024-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨明宪 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  杜建男 ,  贾钧伟 ,  杜泽宇 ,  洪雅敏 ,  邱钲皓 ,  卢俊良

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露所述的影像感测器装置的像素感测器阵列可包含深沟渠隔离结构，其包含延伸至影像感测器装置的基材中的多个深沟渠隔离部分。深沟渠隔离部分的两个或多个次组合可延伸在像素感测器阵列的像素感测器的光电二极管周围，且可延伸不同的深度至基材中。不同的深度可使通过光电二极管产生的光电流被合并，并用来产生联合光电流。不同的深度可使光子在光电二极管中混合，其可使四象限光感测器合并以提升相位检测自动对焦的效能。提升的相位检测自动对焦效能可包含增加自动对焦速度、增加高动态范围、增加量子效率及/或增加满井转换。