公开(公告)号：CN101211964A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710136601.5

申请日：2007-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡邦彥

IPC: H01L29/38 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  Y10S257/90

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及金属氧化物半导体元件，该半导体结构包括一第一复合层、一第二复合层和一第三复合层。第一复合层包括一元素和一第一掺杂物，其中第一掺杂物具有第一掺杂物浓度；第二复合层包括该元素和一第二掺杂物，其中第二掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第二掺杂物具有第二掺杂物浓度且位于第一复合层上；第三复合层包括该元素和第三掺杂物，其中第三掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第三掺杂物具有第三掺杂物浓度；第三复合层位于第二复合层上，且第二掺杂物浓度大体上低于第一掺杂物浓度和第三掺杂物浓度。

公开(公告)号：CN100539182C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200710136601.5

申请日：2007-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡邦彥

IPC: H01L29/38 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  Y10S257/90

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及金属氧化物半导体元件，该半导体结构包括一第一复合层、一第二复合层和一第三复合层。第一复合层包括一元素和一第一掺杂物，其中第一掺杂物具有第一掺杂物浓度；第二复合层包括该元素和一第二掺杂物，其中第二掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第二掺杂物具有第二掺杂物浓度且位于第一复合层上；第三复合层包括该元素和第三掺杂物，其中第三掺杂物的导电型态和第一掺杂物的导电型态相同，第三掺杂物具有第三掺杂物浓度；第三复合层位于第二复合层上，且第二掺杂物浓度大体上低于第一掺杂物浓度和第三掺杂物浓度。

公开(公告)号：CN222261067U

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202420200758.9

申请日：2024-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  时定康 ,  林立德 ,  蔡邦彥 ,  洪宗佑 ,  林斌彦 ,  白佳灵

IPC: H01L27/092

Abstract: 在本公开的一个实施例中，提供了一种半导体装置，包括：位于半导体鳍片之上的源极/漏极区；位于半导体鳍片之上且邻近源极/漏极区的栅极结构，栅极结构包括栅极间隔层，栅极间隔层具有第一粗糙度；位于源极/漏极区之上的多个第介电层；第一接触插塞，电性耦合至源极/漏极区并延伸穿过第一介电层；以及第一氮化物衬件，介于第一接触插塞与第一介电层之间，第一氮化物衬件具有第二粗糙度，第二粗糙度小于第一粗糙度。