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实用新型
半导体元件有权

公开(公告)号：CN222322092U

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202420855864.0

申请日：2024-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 白佳灵 , 黄智扬

IPC: H10D84/85 , H10D84/03

Abstract: 一种半导体元件包含第一晶体管和第二晶体管。一第一晶体管包含第一半导体通道层、第一栅极结构，和第一源/漏极磊晶结构。第一半导体通道层具有第一晶向。第一栅极结构环绕第一半导体通道层。第一源/漏极磊晶结构位于第一半导体通道层的相对两端。第二晶体管位于第一晶体管上方，且具有和第一晶体管不同的导电类型，其中第二晶体管包含第二半导体通道层、第二栅极结构和第二源/漏极磊晶结构。第二半导体通道层具有不同于第一晶向的第二晶向。第二栅极结构环绕第二半导体通道层。第二源/漏极磊晶结构位于第二半导体通道层的相对两端。

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