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公开(公告)号：CN101414058B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810173239.3
申请日：2007-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 本发明揭示一种透明基底上的装置与微机电系统装置，特别涉及一种在透明基底上形成对准标记的方法及系统。在一晶圆的光学透明基底上沉积一光反射层。在光学透明基底上定义围绕一对准标记的一区域。去除透明基底上该区域以外绝大部分的光反射层。另外，本发明所揭示的微机电系统装置，包括一光学透明基底、位于光学透明基底上至少一部分光学透明对准标记以及多个反射元件或影像像素贴附于光学透明基底上。本发明所提供的透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，可提供更准确的晶圆对准，在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件，且使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107017237A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611237535.6
申请日：2016-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/535 , H01L28/87 , H01L28/91 , H01L29/0649 , H01L29/32 , H01L29/66181 , H01L29/945 , H01L28/84
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有深沟槽电容器的集成芯片及形成方法，该深沟槽电容器具有限定弯曲凹陷的锯齿状侧壁。在一些实施例中，集成芯片包括具有沟槽的衬底，该沟槽具有限定多个弯曲凹陷的锯齿状侧壁。介电材料层共形地内衬于锯齿状侧壁，并且导电材料层布置在沟槽内并且通过介电材料层与衬底分离。介电材料层配置为位于包括导电材料层的第一电极和布置在衬底内的第二电极之间的电容器电介质。导电材料层的锯齿状侧壁增加了导电材料层的外表面的表面积，从而增加每单位深度的电容器的电容。本发明实施例涉及具有扇形轮廓的深沟槽电容器。
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公开(公告)号：CN101013197B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200710007514.X
申请日：2007-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 本发明揭示一种透明基底上对准标记形成方法，特别涉及一种在透明基底上形成对准标记的方法及系统。在一晶圆的光学透明基底上沉积一光反射层。在光学透明基底上定义围绕一对准标记的一区域。去除透明基底上该区域以外绝大部分的光反射层。另外，本发明所揭示的微机电系统装置，包括一光学透明基底、位于光学透明基底上至少一部分光学透明对准标记以及多个反射元件或影像像素贴附于光学透明基底上。本发明所提供的透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，可提供更准确的晶圆对准，在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件，且使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。
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公开(公告)号：CN101013197A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710007514.X
申请日：2007-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 本发明揭示一种透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，特别涉及一种在透明基底上形成对准标记的方法及系统。在一晶圆的光学透明基底上沉积一光反射层。在光学透明基底上定义围绕一对准标记的一区域。去除透明基底上该区域以外绝大部分的光反射层。另外，本发明所揭示的微机电系统装置，包括一光学透明基底、位于光学透明基底上至少一部分光学透明对准标记以及多个反射元件或影像像素贴附于光学透明基底上。本发明所提供的透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，可提供更准确的晶圆对准，在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件，且使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。
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公开(公告)号：CN107017237B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201611237535.6
申请日：2016-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有深沟槽电容器的集成芯片及形成方法，该深沟槽电容器具有限定弯曲凹陷的锯齿状侧壁。在一些实施例中，集成芯片包括具有沟槽的衬底，该沟槽具有限定多个弯曲凹陷的锯齿状侧壁。介电材料层共形地内衬于锯齿状侧壁，并且导电材料层布置在沟槽内并且通过介电材料层与衬底分离。介电材料层配置为位于包括导电材料层的第一电极和布置在衬底内的第二电极之间的电容器电介质。导电材料层的锯齿状侧壁增加了导电材料层的外表面的表面积，从而增加每单位深度的电容器的电容。本发明实施例涉及具有扇形轮廓的深沟槽电容器。
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公开(公告)号：CN101414058A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810173239.3
申请日：2007-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 本发明揭示一种透明基底上的装置与微机电系统装置，特别涉及一种在透明基底上形成对准标记的方法及系统。在一晶圆的光学透明基底上沉积一光反射层。在光学透明基底上定义围绕一对准标记的一区域。去除透明基底上该区域以外绝大部分的光反射层。另外，本发明所揭示的微机电系统装置，包括一光学透明基底、位于光学透明基底上至少一部分光学透明对准标记以及多个反射元件或影像像素贴附于光学透明基底上。本发明所提供的透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，可提供更准确的晶圆对准，在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件，且使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。
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