公开(公告)号：CN106024617B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201510569363.1

申请日：2015-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪雨利 ,  孔德明 ,  陈志壕 ,  陈科维 ,  王英郎 ,  张宏睿 ,  曾鸿輝

IPC: H01L21/3065 ,  C23F1/12

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76897 ,  H01L2221/1063

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中至少部分地形成导电区；在衬底上方形成介电层；在介电层上方形成硬掩模，硬掩模具有位于导电区上方的开口；通过第一蚀刻气体干蚀刻介电层以形成凹进的部件，其中，因此在凹进的部件的底部处暴露出导电区的表面，并且在凹进的部件的内表面处形成副产物膜；以及通过第二蚀刻气体干蚀刻介电层，其中，第二蚀刻气体与副产物膜和导电区化学反应，并且因此在凹进的部件的底部周围构建牺牲层。本发明还涉及制造半导体器件的干蚀刻气体和方法。

公开(公告)号：CN106024617A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510569363.1

申请日：2015-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪雨利 ,  孔德明 ,  陈志壕 ,  陈科维 ,  王英郎 ,  张宏睿 ,  曾鸿輝

IPC: H01L21/3065 ,  C23F1/12

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76897 ,  H01L2221/1063 ,  H01L21/3065 ,  C23F1/12

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中至少部分地形成导电区；在衬底上方形成介电层；在介电层上方形成硬掩模，硬掩模具有位于导电区上方的开口；通过第一蚀刻气体干蚀刻介电层以形成凹进的部件，其中，因此在凹进的部件的底部处暴露出导电区的表面，并且在凹进的部件的内表面处形成副产物膜；以及通过第二蚀刻气体干蚀刻介电层，其中，第二蚀刻气体与副产物膜和导电区化学反应，并且因此在凹进的部件的底部周围构建牺牲层。本发明还涉及制造半导体器件的干蚀刻气体和方法。