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公开(公告)号：CN109786317A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811241514.0
申请日：2018-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开实施例说明改良间隙填充特性的金属化工艺方法。方法包括形成接点开口于氧化物层中，形成阻障层于接点开口中，形成衬垫层于阻障层上，以及形成第一金属层于衬电层上以部分地填入接点开口。方法亦包括形成第二金属层于第一金属层上以填满接点开口，其中形成第二金属层的步骤包括以第一射频功率与直流电功率溅镀沉积第二金属层，以第二射频功率再流动第二金属层。
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公开(公告)号：CN108122849A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711044384.7
申请日：2017-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/76889 , H01L21/28518 , H01L21/2855 , H01L21/28568 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L21/76849 , H01L21/76895
Abstract: 方法包括形成具有与晶体管的金属栅极处于相同水平的部分的层间电介质(ILD)。ILD和金属栅极是晶圆的一部分。蚀刻ILD以形成接触开口。将晶圆放入PVD工具内，其中，金属靶位于PVD工具中。金属靶与位于金属靶上方的磁体具有第一间隔，并且与晶圆具有第二间隔。第一间隔与第二间隔的比率大于约0.02。在晶圆上沉积金属层，其中，金属层具有位于接触开口中的底部，以及位于接触开口中的侧壁部分。实施退火以使金属层的底部与源极/漏极区域反应以形成硅化物区域。
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公开(公告)号：CN104916687A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410242305.3
申请日：2014-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括具有源极/漏极区的晶体管。导电接触件设置在源极/漏极区上方。硅化物元件设置在导电接触件下方。硅化物元件具有无角的截面轮廓。在一些实施例中，硅化物元件可具有近似弧形的截面轮廓，例如，类椭圆形的轮廓。通过注入工艺在源极/漏极区中形成非晶硅区来至少部分地形成硅化物元件。注入工艺可以是冷注入工艺。本发明还提供了具有无角轮廓的接触件硅化物。
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公开(公告)号：CN110504170B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201910085896.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 本公开实施例关于制作半导体结构的方法。方法包括提供具有栅极结构、栅极结构上的绝缘结构、以及源极/漏极区的基板。以第一化学气相沉积制程沉积钛硅化物层于源极/漏极区上。第一化学气相沉积制程包括第一氢气流。方法亦包括以第二化学气相沉积制程沉积氮化钛层于绝缘结构上。第二化学气相沉积制程包括第二氢气流。第一化学气相沉积制程与第二化学气相沉积制程在单一的反应腔室中进行，且第一氢气流的流速大于第二氢气流的流速。
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公开(公告)号：CN109786461A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811243635.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 提供半导体结构及其制造方法。半导体结构包含栅极结构、栅极间隔物和源极/漏极结构。栅极结构位于鳍片结构上方。栅极间隔物位于鳍片结构上方且位于栅极结构的侧壁表面上。源极/漏极结构位于鳍片结构中且相邻于栅极间隔物。源极/漏极结构包含第一源极/漏极外延层和第二源极/漏极外延层。第一源极/漏极外延层接触鳍片结构。第一源极/漏极外延层连接至第二源极/漏极外延层的一部分，第二源极/漏极外延层的此部分低于鳍片结构的顶表面。第一源极/漏极外延层的晶格常数不同于第二源极/漏极外延层的晶格常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108807180A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710730715.6
申请日：2017-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/768
Abstract: 一方法包括形成第一开口于基板上的介电层中、以导电阻挡层内衬上述第一开口的数个侧壁及底部以及沉积籽晶层于上述导电阻挡层之上。上述方法亦包括以等离子体工艺处理上述籽晶层，以及于处理上述籽晶层之后，以导电材料填充上述第一开口。
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公开(公告)号：CN108807180B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710730715.6
申请日：2017-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/768
Abstract: 一方法包括形成第一开口于基板上的介电层中、以导电阻挡层内衬上述第一开口的数个侧壁及底部以及沉积籽晶层于上述导电阻挡层之上。上述方法亦包括以等离子体工艺处理上述籽晶层，以及于处理上述籽晶层之后，以导电材料填充上述第一开口。
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公开(公告)号：CN110504170A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910085896.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 本公开实施例关于制作半导体结构的方法。方法包括提供具有栅极结构、栅极结构上的绝缘结构、以及源极/漏极区的基板。以第一化学气相沉积制程沉积钛硅化物层于源极/漏极区上。第一化学气相沉积制程包括第一氢气流。方法亦包括以第二化学气相沉积制程沉积氮化钛层于绝缘结构上。第二化学气相沉积制程包括第二氢气流。第一化学气相沉积制程与第二化学气相沉积制程在单一的反应腔室中进行，且第一氢气流的流速大于第二氢气流的流速。
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公开(公告)号：CN107134493A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201611087885.9
申请日：2016-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 一种鳍式场效晶体管，包括：衬底、多个隔离结构、多个阻挡层以与栅极叠层结构。衬底具有多个半导体鳍片。隔离结构位在衬底上，以隔离半导体鳍片。另外，半导体鳍片突出于隔离结构。阻挡层位在隔离结构与半导体鳍片之间。阻挡层的材料与隔离结构的材料不同。栅极叠层结构横跨过部分半导体鳍片、部分所述阻挡层以及部分所述隔离结构。另外，也提供一种鳍式场效晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN109841565B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201811292809.0
申请日：2018-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/532 , H01L27/088
Abstract: 通常，本发明实施例提供了涉及诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件的示例实施例以及用于形成这些导电部件的方法。在方法实施例中，在半导体衬底上形成介电层。半导体衬底具有源极/漏极区。形成穿过介电层至源极/漏极区的开口。通过相同的等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)工艺在源极/漏极区上形成硅化物区，并且沿着介电层的侧壁在开口中形成阻挡层。
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