公开(公告)号：CN106935648A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610815080.5

申请日：2016-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕寰 ,  范富杰 ,  郑光茗 ,  霍克孝 ,  陈奕升 ,  刘思贤 ,  林国树 ,  叶力瑄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离。具体的，本发明揭示一种方法，其包含：形成延伸到半导体衬底中的隔离区；蚀刻所述隔离区的顶部部分，以在所述隔离区中形成凹陷部；和形成延伸到所述凹陷部中且与所述隔离区的下部分重叠的栅极堆叠。在所述栅极堆叠的相对侧上形成源极区和漏极区。所述栅极堆叠、所述源极区和所述漏极区为金属氧化物半导体装置MOS的部分。

公开(公告)号：CN107026166B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201710057576.5

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕升 ,  郑光茗 ,  范富杰 ,  高荣辉 ,  陈奕寰 ,  林国树

IPC: H01L27/098 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

Abstract: 本揭露实施例涉及一种半导体装置及方法。所述半导体装置包含晶体管。所述晶体管包含：有源区，在衬底中；图案化导电层，是互连层的一部分，所述互连层用于路由；和绝缘层，延伸在所述衬底上方且用以将所述有源区与所述图案化导电层绝缘。所述图案化导电层和所述绝缘层充当所述晶体管的栅极。

公开(公告)号：CN106935648B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201610815080.5

申请日：2016-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕寰 ,  范富杰 ,  郑光茗 ,  霍克孝 ,  陈奕升 ,  刘思贤 ,  林国树 ,  叶力瑄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离。具体的，本发明揭示一种方法，其包含：形成延伸到半导体衬底中的隔离区；蚀刻所述隔离区的顶部部分，以在所述隔离区中形成凹陷部；和形成延伸到所述凹陷部中且与所述隔离区的下部分重叠的栅极堆叠。在所述栅极堆叠的相对侧上形成源极区和漏极区。所述栅极堆叠、所述源极区和所述漏极区为金属氧化物半导体装置MOS的部分。

公开(公告)号：CN107026166A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710057576.5

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕升 ,  郑光茗 ,  范富杰 ,  高荣辉 ,  陈奕寰 ,  林国树

IPC: H01L27/098 ,  H01L29/06 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/528 ,  H01L29/0688 ,  H01L21/77 ,  H01L27/098

Abstract: 本揭露实施例涉及一种半导体装置及方法。所述半导体装置包含晶体管。所述晶体管包含：有源区，在衬底中；图案化导电层，是互连层的一部分，所述互连层用于路由；和绝缘层，延伸在所述衬底上方且用以将所述有源区与所述图案化导电层绝缘。所述图案化导电层和所述绝缘层充当所述晶体管的栅极。