公开(公告)号：CN108074952A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710741126.8

申请日：2017-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕寰 ,  范富杰 ,  郑光茗 ,  霍克孝 ,  叶力瑄 ,  赵堉斌

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/3223 ,  H01L27/3225 ,  H01L27/3255 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L27/3244 ,  H01L21/28247

Abstract: 本揭露涉及一种有机发光装置中具有合并间隔件的装置。更具体而言，本揭露涉及一种包含逻辑装置的有机发光装置及一种相关联的制造方法，所述逻辑装置包括虚设图案及合并间隔件。在一些实施例中，所述有机发光装置放置于衬底上方。所述逻辑装置耦合到所述有机发光装置且包括放置于所述衬底内且通过沟道区域分离的一对源极/漏极区域。栅极结构上覆所述沟道区域且包括栅极电极及通过合并间隔件与所述栅极电极分离的虚设图案。通过将所述虚设图案及所述合并间隔件布置于所述栅极电极与所述源极/漏极区域之间，放大所述栅极电极与所述源极/漏极区域之间的距离，且因此减小栅极诱发的漏极泄漏GIDL效应。

公开(公告)号：CN106935648A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610815080.5

申请日：2016-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕寰 ,  范富杰 ,  郑光茗 ,  霍克孝 ,  陈奕升 ,  刘思贤 ,  林国树 ,  叶力瑄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离。具体的，本发明揭示一种方法，其包含：形成延伸到半导体衬底中的隔离区；蚀刻所述隔离区的顶部部分，以在所述隔离区中形成凹陷部；和形成延伸到所述凹陷部中且与所述隔离区的下部分重叠的栅极堆叠。在所述栅极堆叠的相对侧上形成源极区和漏极区。所述栅极堆叠、所述源极区和所述漏极区为金属氧化物半导体装置MOS的部分。

公开(公告)号：CN106935648B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201610815080.5

申请日：2016-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕寰 ,  范富杰 ,  郑光茗 ,  霍克孝 ,  陈奕升 ,  刘思贤 ,  林国树 ,  叶力瑄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及作为高压装置的栅极电介质的凹陷浅沟槽隔离。具体的，本发明揭示一种方法，其包含：形成延伸到半导体衬底中的隔离区；蚀刻所述隔离区的顶部部分，以在所述隔离区中形成凹陷部；和形成延伸到所述凹陷部中且与所述隔离区的下部分重叠的栅极堆叠。在所述栅极堆叠的相对侧上形成源极区和漏极区。所述栅极堆叠、所述源极区和所述漏极区为金属氧化物半导体装置MOS的部分。