公开(公告)号：CN1320654C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200410057340.4

申请日：2004-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊杰 ,  李文钦 ,  杨育佳 ,  林全益 ,  胡正明

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28052 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供一种具有多样的金属硅化物的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一个半导体基底，一个位于基底的第一区的第一金属硅化物，以及一个位于基底的第二区的第二金属硅化物。其中，第一金属硅化物不同于第二金属硅化物。此外，第一金属硅化物和第二金属硅化物可以是一个合金金属硅化物。本发明能够在同一芯片不同型式的晶体管上形成具有不同功函数的金属硅化物，因而能够得到可靠的接触状况，并能解决现有技术的缺点。

公开(公告)号：CN1591868A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057340.4

申请日：2004-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊杰 ,  李文钦 ,  杨育佳 ,  林全益 ,  胡正明

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28052 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供一种具有多样的金属硅化物的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一个半导体基底，一个位于基底的第一区的第一金属硅化物，以及一个位于基底的第二区的第二金属硅化物。其中，第一金属硅化物不同于第二金属硅化物。此外，第一金属硅化物和第二金属硅化物可以是一个合金金属硅化物。本发明能够在同一芯片不同型式的晶体管上形成具有不同功函数的金属硅化物，因而能够得到可靠的接触状况，并能解决现有技术的缺点。

公开(公告)号：CN101740484A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910126308.X

申请日：2009-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林全益 ,  李松柏 ,  黄庆坤 ,  林生元

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明提供了一种形成具有穿透硅通孔(TSV)的半导体器件的方法。包括以下步骤：提供在其上形成有第一电介质层的半导体器件。在该第一电介质层上形成一个或多个电介质层，由此，每一个电介质层具有一个堆叠结构，其中一个或多个电介质层中的堆叠结构的垂直对齐。堆叠结构可能是，例如，金属环。该堆叠结构然后被去除从而形成第一凹口。由第一凹口延伸到到衬底中形成第二凹口。在第二凹口中填充导电物质从而形成TSV。

公开(公告)号：CN1728383A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510079599.3

申请日：2005-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林全益 ,  吴显扬 ,  杨育佳

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/823475

Abstract: 本发明提供一种集成电路结构及制造方法，包括：在半导体衬底上形成隔离场区域；在衬底表面上形成栅电介质层；在栅电介质层上形成栅电极；形成光刻胶且覆盖于主动区域上；选择性地蚀刻虚拟图案；选择性地蚀刻虚拟衬底；接着移除光刻胶；在沿着该栅电极与该栅电介质层的相对边墙上形成一对间隙壁；在衬底表面上形成源极和漏极；在栅电极、源极和汲极上形成硅化金属；随后形成内层电介质层；接着形成一接触开口及金属线路。本发明利用CMP平坦化处理，其并不会在金属线路与虚拟图案之间伴随增加寄生电容。

公开(公告)号：CN101740484B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200910126308.X

申请日：2009-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林全益 ,  李松柏 ,  黄庆坤 ,  林生元

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明提供了一种形成具有穿透硅通孔(TSV)的半导体器件的方法。包括以下步骤：提供在其上形成有第一电介质层的半导体器件。在该第一电介质层上形成一个或多个电介质层，由此，每一个电介质层具有一个堆叠结构，其中一个或多个电介质层中的堆叠结构的垂直对齐。堆叠结构可能是，例如，金属环。该堆叠结构然后被去除从而形成第一凹口。由第一凹口延伸到到衬底中形成第二凹口。在第二凹口中填充导电物质从而形成TSV。

公开(公告)号：CN100449757C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200510079599.3

申请日：2005-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林全益 ,  吴显扬 ,  杨育佳

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/823475

Abstract: 本发明提供一种集成电路结构及制造方法，包括：在半导体衬底上形成隔离场区域；在衬底表面上形成栅电介质层；在栅电介质层上形成栅电极；形成光刻胶且覆盖于主动区域上；选择性地蚀刻虚拟图案；选择性地蚀刻虚拟衬底；接着移除光刻胶；在沿着该栅电极与该栅电介质层的相对边墙上形成一对间隙壁；在衬底表面上形成源极和漏极；在栅电极、源极和漏极上形成硅化金属；随后形成内层电介质层；接着形成一接触开口及金属线路。本发明利用CMP平坦化处理，其并不会在金属线路与虚拟图案之间伴随增加寄生电容。

公开(公告)号：CN2731718Y

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200420089131.3

申请日：2004-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊杰 ,  李文钦 ,  杨育佳 ,  林全益 ,  胡正明

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28052 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648

Abstract: 本实用新型提供一种具有多样的金属硅化物的半导体元件。该半导体元件包括一个半导体基底，一个位于基底的第一区的第一金属硅化物，以及一个位于基底的第二区的第二金属硅化物。其中，第一金属硅化物不同于第二金属硅化物。此外，第一金属硅化物和第二金属硅化物可以是一个合金金属硅化物。本实用新型能够在同一芯片不同型式的晶体管上形成具有不同功函数的金属硅化物，因而能够得到可靠的接触状况，并能解决现有技术的缺点。