公开(公告)号：CN103227200B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210244923.2

申请日：2012-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵元舜 ,  陈豪育 ,  杨士洪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管FinFET。一种FinFET的典型结构包括：衬底，包括主面；第一鳍状件和第二鳍状件，自该衬底的主面向上延伸至第一高度；绝缘层，包括顶面，该绝缘层自衬底的主面向上延伸至第二高度，该第二高度小于第一高度，由此各鳍状件的部分延伸超过绝缘层的顶面；每个鳍状件被球形外延层覆盖，球形外延层限定相邻各鳍状件之间的漏斗形腔，所述腔包括上部和下部，其中，作为所述腔的下部的边界的球形外延层被转化为硅化物。本发明还公开了制造鳍式场效应晶体管的方法。

公开(公告)号：CN101673765A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910169146.8

申请日：2009-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄焕宗 ,  杨士洪 ,  益冈有里 ,  后藤贤一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一半导体基板，其具有一源极区和一漏极区，上述半导体基板定义从上述源极区至上述漏极区的一第一尺寸；一栅极堆叠结构，设置于上述半导体基板上，且水平地部分介于上述源极区和上述漏极区之间。上述栅极堆叠结构包括一第一金属物，设置于上述高介电常数介电层上，上述第一金属物具有一第一功函数且定义平行于上述第一尺寸的一第二尺寸；一第二金属物，其具有不同于上述第一功函数的一第二功函数且定义平行于上述第一尺寸的一第三尺寸，上述第三尺寸小于上述第二尺寸。本发明提供的半导体装置及其制造方法能够增加调整短通道效应和起始电压的自由度。

公开(公告)号：CN101673765B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200910169146.8

申请日：2009-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄焕宗 ,  杨士洪 ,  益冈有里 ,  后藤贤一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括半导体基板，其具有源极区和漏极区，半导体基板定义从源极区至漏极区的第一尺寸；栅极堆叠结构，设置于半导体基板上且水平地部分介于源极区和漏极区之间。栅极堆叠结构包括第一金属物，设置于高介电常数介电层上且邻接源极区和漏极区的边缘，第一金属物具有第一功函数且定义平行于第一尺寸的第二尺寸；第二金属物，介于源极区和漏极区之间，其具有不同于第一功函数的第二功函数且定义平行于第一尺寸的第三尺寸，第三尺寸小于第二尺寸，第一功函数接近于能带的带隙中间值，第二功函数接近于能带的带隙边缘值。本发明能够增加调整短通道效应和起始电压的自由度。

公开(公告)号：CN101714507A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910178783.1

申请日：2009-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 益冈有里 ,  杨士洪 ,  林秉顺

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/28114 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种制造具有金属栅极堆叠的半导体装置及其制造方法，其中该方法包括：于一半导体基底上形成一高介电常数介电材料层；于该高介电常数介电材料层上形成一金属栅极层；于该金属栅极层上形成一顶栅极层；图案化该顶栅极层、该金属栅极层及该高介电常数介电材料层以形成一栅极堆叠；进行一蚀刻工艺以选择性地凹蚀该金属栅极层；以及于该栅极堆叠的侧壁上形成一栅极间隙壁。

公开(公告)号：CN103227200A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201210244923.2

申请日：2012-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵元舜 ,  陈豪育 ,  杨士洪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管FinFET。一种FinFET的典型结构包括：衬底，包括主面；第一鳍状件和第二鳍状件，自该衬底的主面向上延伸至第一高度；绝缘层，包括顶面，该绝缘层自衬底的主面向上延伸至第二高度，该第二高度小于第一高度，由此各鳍状件的部分延伸超过绝缘层的顶面；每个鳍状件被球形外延层覆盖，球形外延层限定相邻各鳍状件之间的漏斗形腔，所述腔包括上部和下部，其中，作为所述腔的下部的边界的球形外延层被转化为硅化物。本发明还公开了制造鳍式场效应晶体管的方法。

公开(公告)号：CN104009036B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310192965.0

申请日：2013-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭志伟 ,  赵元舜 ,  陈豪育 ,  杨士洪

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L23/564 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种器件，该器件包括：包括隔离部件的晶圆衬底、嵌入隔离部件中的至少两个鳍结构、环绕两个鳍结构分别地设置的至少两个栅叠层。第一层间介电（ILD）层设置在两个栅叠层之间，在该两个栅叠层之间形成盘状沟槽，使得沟槽的底面低于相邻的两个栅叠层的顶面。在包括在盘状沟槽中的第一ILD层的上方设置第二ILD层。第二ILD包括氮化物材料；第一ILD包括氧化物材料。本发明还提供了制造多栅极器件的方法。

公开(公告)号：CN103378156B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201310003804.2

申请日：2013-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭志伟 ,  赵元舜 ,  陈豪育 ,  杨士洪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

Abstract: 一种器件包括半导体衬底；位于半导体衬底中的隔离区以及鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET包括位于半导体衬底上方的沟道区；位于沟道区的顶面和侧壁上的栅极电介质；位于栅极电介质上方的栅电极；源极/漏极区以及位于源极/漏极区和沟道区之间的另一半导体区。沟道区和另一半导体区由不同的半导体材料形成并且彼此基本齐平。本发明公开了具有替换沟道的多栅极器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN104009036A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310192965.0

申请日：2013-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭志伟 ,  赵元舜 ,  陈豪育 ,  杨士洪

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L23/564 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种器件，该器件包括：包括隔离部件的晶圆衬底、嵌入隔离部件中的至少两个鳍结构、环绕两个鳍结构分别地设置的至少两个栅叠层。第一层间介电（ILD）层设置在两个栅叠层之间，在该两个栅叠层之间形成盘状沟槽，使得沟槽的底面低于相邻的两个栅叠层的顶面。在包括在盘状沟槽中的第一ILD层的上方设置第二ILD层。第二ILD包括氮化物材料；第一ILD包括氧化物材料。本发明还提供了制造多栅极器件的方法。

公开(公告)号：CN103378156A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310003804.2

申请日：2013-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭志伟 ,  赵元舜 ,  陈豪育 ,  杨士洪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

Abstract: 一种器件包括半导体衬底；位于半导体衬底中的隔离区以及鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET包括位于半导体衬底上方的沟道区；位于沟道区的顶面和侧壁上的栅极电介质；位于栅极电介质上方的栅电极；源极/漏极区以及位于源极/漏极区和沟道区之间的另一半导体区。沟道区和另一半导体区由不同的半导体材料形成并且彼此基本齐平。本发明公开了具有替换沟道的多栅极器件及其形成方法。