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公开(公告)号:CN105800543B
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201510458907.7
申请日:2015-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构、半导体结构及其制造方法。在各个实施例中,用于MEMS器件的衬底结构包括衬底、MEMS器件和抗粘层。MEMS器件位于衬底上方。抗粘层位于MEMS器件的表面上,并且包括非晶碳、聚四氟乙烯、氧化铪、氧化钽、氧化锆或它们的组合。
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公开(公告)号:CN107128869A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710100538.3
申请日:2017-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B3/0008 , B81B2203/0307 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C1/00246 , B81C2201/0132 , B81C2201/0181 , B81C2203/035 , B81B7/007 , B81B7/0009 , B81C1/00015
Abstract: 一种半导体结构,包括衬底;介电层,设置在衬底上方;传感结构,设置在介电层上方;接合结构,设置在介电层上方;导电层,覆盖传感结构;以及阻挡层,设置在介电层、导电层和接合结构上方;其中,导电层和接合结构至少部分地从阻挡层暴露。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号:CN105800543A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201510458907.7
申请日:2015-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B2207/015 , B81C2201/019 , B81C2201/112 , B81C2203/0785
Abstract: 本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构、半导体结构及其制造方法。在各个实施例中,用于MEMS器件的衬底结构包括衬底、MEMS器件和抗粘层。MEMS器件位于衬底上方。抗粘层位于MEMS器件的表面上,并且包括非晶碳、聚四氟乙烯、氧化铪、氧化钽、氧化锆或它们的组合。
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