公开(公告)号：CN106548944B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201510860138.3

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范纯祥 ,  林群雄 ,  黄懋霖 ,  李泳达

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/20

Abstract: 本公开提供一种半导体装置的制造方法实施例，其包括形成一外延部于一基底上方，外延部包括III‑V族材料。一受损材料层位于外延部的至少一表面上。此方法还包括至少氧化受损材料层的外表面，以形成一氧化层、选择性去除氧化层以及当至少一部份的受损层余留于外延部上时，重复氧化及选择性去除步骤。本发明的半导体装置的制造方法，通过一工艺自外延鳍部的外表面、源极/汲级以及纳米接线去除受损材料层，可改善装置的效能。

公开(公告)号：CN103177951B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210074982.X

申请日：2012-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫凯雄 ,  简珮珊 ,  李泳达 ,  杨建勋

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体制造方法，该方法包括在半导体衬底上形成层间介电(ILD)层。ILD层具有由该ILD层的侧壁限定的开口。在该ILD层的侧壁上形成间隔元件。在邻近该间隔元件的开口中形成栅极结构。在实施例中，该侧壁间隔件还用于减小在开口中形成的栅极结构的尺寸(例如，长度)。本发明提供了用于半导体器件的栅极结构。

公开(公告)号：CN105206669B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201410403875.6

申请日：2014-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄玉莲 ,  范纯祥 ,  李泳达

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种量子阱鳍式场效应晶体管(QWFinFET)。该QWFinFET包括位于衬底上方的半导体鳍和位于半导体鳍上方的组合量子阱(QW)结构。组合QW结构包括位于半导体鳍的顶部上方的QW结构和半导体鳍的中间部分。半导体鳍和QW包括不同的半导体材料。QWFinFET也包括位于组合QW结构上方的栅极堆叠件。本发明还提供了组合QWFINFET的形成方法。

公开(公告)号：CN106206246A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510256037.5

申请日：2015-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄玉莲 ,  李泳达 ,  陈孟谷

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0676 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L2029/7858

Abstract: 根据本发明的另一个实施例，提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：衬底；第一纳米线，位于衬底上方；以及第二纳米线，位于衬底上方并与第一纳米线基本对称。根据本发明的实施例，还提供了一种形成纳米线的方法。

公开(公告)号：CN106206246B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201510256037.5

申请日：2015-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄玉莲 ,  李泳达 ,  陈孟谷

IPC: H01L21/02

Abstract: 根据本发明的另一个实施例，提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：衬底；第一纳米线，位于衬底上方；以及第二纳米线，位于衬底上方并与第一纳米线基本对称。根据本发明的实施例，还提供了一种形成纳米线的方法。

公开(公告)号：CN106548944A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201510860138.3

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范纯祥 ,  林群雄 ,  黄懋霖 ,  李泳达

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/66818 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/20

Abstract: 本公开提供一种半导体装置的制造方法实施例，其包括形成一外延部于一基底上方，外延部包括III-V族材料。一受损材料层位于外延部的至少一表面上。此方法还包括至少氧化受损材料层的外表面，以形成一氧化层、选择性去除氧化层以及当至少一部份的受损层余留于外延部上时，重复氧化及选择性去除步骤。本发明的半导体装置的制造方法，通过一工艺自外延鳍部的外表面、源极/汲级以及纳米接线去除受损材料层，可改善装置的效能。

公开(公告)号：CN105206669A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201410403875.6

申请日：2014-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄玉莲 ,  范纯祥 ,  李泳达

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/775 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/15 ,  H01L29/155 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L2029/7857

Abstract: 本发明提供了一种量子阱鳍式场效应晶体管(QWFinFET)。该QWFinFET包括位于衬底上方的半导体鳍和位于半导体鳍上方的组合量子阱(QW)结构。组合QW结构包括位于半导体鳍的顶部上方的QW结构和半导体鳍的中间部分。半导体鳍和QW包括不同的半导体材料。QWFinFET也包括位于组合QW结构上方的栅极堆叠件。本发明还提供了组合QWFINFET的形成方法。

公开(公告)号：CN103177951A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210074982.X

申请日：2012-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫凯雄 ,  简珮珊 ,  李泳达 ,  杨建勋

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体制造方法，该方法包括在半导体衬底上形成层间介电(ILD)层。ILD层具有由该ILD层的侧壁限定的开口。在该ILD层的侧壁上形成间隔元件。在邻近该间隔元件的开口中形成栅极结构。在实施例中，该侧壁间隔件还用于减小在开口中形成的栅极结构的尺寸(例如，长度)。本发明提供了用于半导体器件的栅极结构。