公开(公告)号：CN116454100A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202210964190.3

申请日：2022-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孔书砚 ,  刘家弘 ,  庄圣颉 ,  陈俊璋 ,  张玮玲 ,  刘铭棋 ,  曹淳凯

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请的实施例提供了图像传感器器件及其形成方法。方法包括：在衬底的背侧上形成掩模层，该衬底包括具有光电探测器的像素区域，晶体管位于衬底的前侧之上或之中；通过将掩蔽层暴露于图案化的光而在掩蔽层中形成掩蔽开口，掩模开口包括：掩蔽像素区域的掩蔽像素区域；以及从掩模像素区域向掩模交叉区域延伸的掩模突起区域；通过掩模开口蚀刻衬底，在衬底中形成衬底开口；在衬底开口中形成隔离结构。

公开(公告)号：CN222190728U

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202420051765.7

申请日：2024-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信耀 ,  庄圣颉 ,  孔书砚 ,  黄信盛

IPC: H01L27/146

Abstract: 本实用新型提供用于背侧深沟槽隔离(BDTI)结构的沟槽，所述沟槽使用两种蚀刻形成：高纵横比蚀刻及口部蚀刻。沟槽具有较宽的上部部分(口部)及沟槽的下部部分。下部部分比上部部分更窄且具有更高纵横比。沟槽展现上部部分与下部部分之间的宽度的步进改变。可固定下部部分的深度以提供高纵横比，但将所述纵横比限制于可始终填充下部部分而不产生空隙的纵横比。沟槽的整体深度可通过调整口部区域的深度来变化。所得BDTI结构为影像传感器提供比可使用单一沟槽蚀刻达成的更佳的光学效能特性。