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发明公开
图像传感器器件及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN116454100A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202210964190.3

申请日：2022-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孔书砚 , 刘家弘 , 庄圣颉 , 陈俊璋 , 张玮玲 , 刘铭棋 , 曹淳凯

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请的实施例提供了图像传感器器件及其形成方法。方法包括：在衬底的背侧上形成掩模层，该衬底包括具有光电探测器的像素区域，晶体管位于衬底的前侧之上或之中；通过将掩蔽层暴露于图案化的光而在掩蔽层中形成掩蔽开口，掩模开口包括：掩蔽像素区域的掩蔽像素区域；以及从掩模像素区域向掩模交叉区域延伸的掩模突起区域；通过掩模开口蚀刻衬底，在衬底中形成衬底开口；在衬底开口中形成隔离结构。

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