公开(公告)号：CN105023945B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410341585.3

申请日：2014-07-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余宗兴 ,  刘佳雯 ,  徐烨 ,  后藤贤一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明描述了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于半导体复合层中并邻近沟道的有源区域。该有源区域包括具有第一掺杂剂浓度的第一有源区域层、位于第一有源区域层上方并具有第二掺杂剂浓度的第二有源区域层、以及位于第二有源区域层上方并具有第三掺杂剂浓度的第三有源区域层。第三掺杂剂浓度大于第二掺杂剂浓度，并且第二掺杂剂浓度大于第一掺杂剂浓度。该沟道包括位于第一沟道层上方并包含碳的第二沟道层以及位于第二沟道层上方的第三沟道层。相较于不具有有源区域和沟道结构的半导体器件，有源区域结构提高了驱动电流并减小了接触电阻，并且该沟道结构增加了短沟道控制。

公开(公告)号：CN105023945A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201410341585.3

申请日：2014-07-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余宗兴 ,  刘佳雯 ,  徐烨 ,  后藤贤一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明描述了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于半导体复合层中并邻近沟道的有源区域。该有源区域包括具有第一掺杂剂浓度的第一有源区域层、位于第一有源区域层上方并具有第二掺杂剂浓度的第二有源区域层、以及位于第二有源区域层上方并具有第三掺杂剂浓度的第三有源区域层。第三掺杂剂浓度大于第二掺杂剂浓度，并且第二掺杂剂浓度大于第一掺杂剂浓度。该沟道包括位于第一沟道层上方并包含碳的第二沟道层以及位于第二沟道层上方的第三沟道层。相较于不具有有源区域和沟道结构的半导体器件，有源区域结构提高了驱动电流并减小了接触电阻，并且该沟道结构增加了短沟道控制。

公开(公告)号：CN104465763A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410327463.9

申请日：2014-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 让-皮埃尔·科林格 ,  余宗兴 ,  徐烨 ,  刘佳雯 ,  卡洛斯·H.·迪亚兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/2251 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/785

Abstract: 本文公开了一种半导体器件，包括：包括第一导电类型的第一类型区和包括第二导电类型的第二类型区。半导体器件包括在第一类型区和第二类型区之间延伸的沟道区。半导体器件包括围绕至少一部分沟道区的栅电极。栅电极的第一栅极边缘与第一类型区的第一类型区边缘间隔开第一距离，并且栅电极的第二栅极边缘与第二类型区的第二类型区边缘间隔开第二距离。第一距离小于第二距离。本发明包括非对称半导体器件。

公开(公告)号：CN115663027A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211328517.4

申请日：2014-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 让-皮埃尔·科林格 ,  余宗兴 ,  徐烨 ,  刘佳雯 ,  卡洛斯·H.·迪亚兹

IPC: H01L29/78

Abstract: 本文公开了一种半导体器件，包括：包括第一导电类型的第一类型区和包括第二导电类型的第二类型区。半导体器件包括在第一类型区和第二类型区之间延伸的沟道区。半导体器件包括围绕至少一部分沟道区的栅电极。栅电极的第一栅极边缘与第一类型区的第一类型区边缘间隔开第一距离，并且栅电极的第二栅极边缘与第二类型区的第二类型区边缘间隔开第二距离。第一距离小于第二距离。本发明包括非对称半导体器件。