公开(公告)号：CN110729246A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910015643.6

申请日：2019-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张邦圣 ,  尹煜峰 ,  王朝勋 ,  赵高毅 ,  杨复凯 ,  王美匀 ,  张峰瑜 ,  高承远 ,  洪嘉阳 ,  张家胜 ,  孙书辉 ,  谢志宏 ,  潘昇良 ,  郭国凭 ,  吴少均

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种方法包含形成金属栅极结构，金属栅极结构包含栅极介电层及栅极电极。对金属栅极结构的顶表面进行表面处理，表面处理将栅极电极的顶部转变为氧化层。在栅极电极上方形成导电层，导电层的形成包含以金属元素取代氧化层中的氧。在金属栅极结构上方形成插塞部件，插塞部件与导电层直接接触。

公开(公告)号：CN113284843A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202011629512.6

申请日：2020-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张邦圣 ,  王朝勋 ,  赵高毅 ,  杨复凯 ,  王美匀 ,  吴历杰 ,  徐俊伟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L23/48

Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底上方形成第一导电部件；在第一导电部件上方形成ILD层；图案化ILD层以形成沟槽；以及在图案化的ILD层上方形成导电层以填充沟槽。该方法还包括抛光导电层以形成被配置为使第一导电部件与第二导电部件互连的通孔接触件，其中，抛光导电层暴露ILD层的顶面，抛光ILD层的暴露的顶面，使得通孔接触件的顶部部分从ILD层的暴露的顶面突出，并且在通孔接触件上方形成第二导电部件，使得通孔接触件的顶部部分延伸到第二导电部件中，根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构。