公开(公告)号：CN110729246A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910015643.6

申请日：2019-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张邦圣 ,  尹煜峰 ,  王朝勋 ,  赵高毅 ,  杨复凯 ,  王美匀 ,  张峰瑜 ,  高承远 ,  洪嘉阳 ,  张家胜 ,  孙书辉 ,  谢志宏 ,  潘昇良 ,  郭国凭 ,  吴少均

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种方法包含形成金属栅极结构，金属栅极结构包含栅极介电层及栅极电极。对金属栅极结构的顶表面进行表面处理，表面处理将栅极电极的顶部转变为氧化层。在栅极电极上方形成导电层，导电层的形成包含以金属元素取代氧化层中的氧。在金属栅极结构上方形成插塞部件，插塞部件与导电层直接接触。