公开(公告)号：CN107043086A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201611261004.0

申请日：2016-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 辛建宁 ,  王乙翕 ,  刘人豪 ,  张智杭

IPC: B81C3/00 ,  H01L21/762

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/037 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3105 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/01 ,  H01L21/76251

Abstract: 提供一种用硅烷预处理将一对衬底熔融粘合在一起的方法。用硅烷预处理第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。将第一氧化物层和第二氧化物层分别布置于第一半导体衬底和第二半导体衬底上。将水施用到第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。使第一氧化物层的表面和第二氧化物层的表面直接接触。使第一氧化物层和第二氧化物层退火。还提供一种用于使用熔融粘合制造微机电系统(microelectromechanical systems，MEMS)封装的方法。