公开(公告)号：CN101943739A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010222592.3

申请日：2010-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卓秀英 ,  黄俊凯 ,  黄文社 ,  刘莎莉

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/27

CPC classification number: G01R31/2846 ,  G01R31/27 ,  G01R31/2884 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明提供一种去嵌入的方法和装置，该方法包括：形成具有待测元件的受测结构，待测元件嵌入受测结构之内，受测结构具有多个左测试焊盘和多个右测试焊盘，右测试焊盘和左测试焊盘耦接待测元件，待测元件将受测结构分成左半结构和右半结构，每一左半结构和右半结构均具有本征传输参数；形成多个虚设受测结构，每一虚设受测结构均包括左焊盘和右焊盘；测量受测结构和虚设受测结构的传输参数；以及使用左半结构和右结构的本征传输参数与受测结构和虚设受测结构的传输参数，推导待测元件的本征传输参数。本发明可避免过度去嵌入。

公开(公告)号：CN109834577A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810540811.9

申请日：2018-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡翔注 ,  黄俊凯 ,  郑穆韩 ,  曾郁钦 ,  陈建置 ,  陈慈信

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/20 ,  B24B37/27 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明实施例提供一种用于化学机械研磨的系统、控制方法以及仪器。化学机械抛光仪器包括抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器。所述抛光垫包括位于其上的多个凹槽。第一传感器用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度。抛光头位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片。调节器位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫。根据至少一个抛光条件操作所述抛光头以及所述调节器，且根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。

公开(公告)号：CN101943739B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201010222592.3

申请日：2010-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卓秀英 ,  黄俊凯 ,  黄文社 ,  刘莎莉

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2846 ,  G01R31/27 ,  G01R31/2884 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明提供一种去嵌入的方法和装置，该方法包括：形成具有待测元件的受测结构，待测元件嵌入受测结构之内，受测结构具有多个左测试焊盘和多个右测试焊盘，右测试焊盘和左测试焊盘耦接待测元件，待测元件将受测结构分成左半结构和右半结构，每一左半结构和右半结构均具有本征传输参数；形成多个虚设受测结构，每一虚设受测结构均包括左焊盘和右焊盘；测量受测结构和虚设受测结构的传输参数；以及使用左半结构和右结构的本征传输参数与受测结构和虚设受测结构的传输参数，推导待测元件的本征传输参数。本发明可避免过度去嵌入。