公开(公告)号：CN108807317A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710834344.6

申请日：2017-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛贝夫·辛格 ,  李智铭 ,  林其谚 ,  郭文昌 ,  刘洲宗

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/06 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01L21/78 ,  H01L22/34 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L29/0649 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03827 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/061 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。

公开(公告)号：CN108807317B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201710834344.6

申请日：2017-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛贝夫·辛格 ,  李智铭 ,  林其谚 ,  郭文昌 ,  刘洲宗

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。