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公开(公告)号：CN103794641A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310288660.X
申请日：2013-07-10
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 富士电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/42316 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种实现通态电阻的降低或电流崩塌的抑制并且防止了耐压降低的半导体装置。该半导体装置具备：形成于基板上的由氮化物系半导体构成的第1半导体层，形成于所述第1半导体层的表面的、由带隙比所述第1半导体层宽的氮化物系半导体构成的第2半导体层，形成于所述第2半导体层的表面上的第1电极，形成于所述第2半导体层的表面上的第2电极，形成于所述第2半导体层的表面的所述第1电极和所述第2电极之间的电极间绝缘膜，以及形成于所述电极间绝缘膜上的由绝缘体构成的介电常数调节层，其中，所述第1电极具有以上载至所述电极间绝缘膜的方式形成的场板部，所述介电常数调节层具有与所述场板部的侧端部接触的第1介电常数调节层和形成于所述第1介电常数调节层上的第2介电常数调节层。
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公开(公告)号：CN1943035B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200580010946.5
申请日：2005-05-02
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003
Abstract: 提供一种GaN系半导体装置，其通态电阻低、反偏压的电压外加时的漏电流非常小，而且耐压特性非常优异，其结构具备：III-V族氮化物半导体层，其至少包含1个带隙能量不同的III-V族氮化物半导体的异质结结构；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极接触，并配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面。
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公开(公告)号：CN1943035A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580010946.5
申请日：2005-05-02
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003
Abstract: 提供一种GaN系半导体装置，其通态电阻低、反偏压的电压外加时的漏电流非常小，而且耐压特性非常优异，其结构具备：III－V族氮化物半导体层，其至少包含1个带隙能量不同的III－V族氮化物半导体的异质结结构；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极接触，并配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面。
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公开(公告)号：CN115697623A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180042706.2
申请日：2021-06-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: B23K26/21 , B23K26/067 , H01R4/02 , H01R4/58 , H01R43/02
Abstract: 汇流条例如是具有板状的多个构件、以及对多个构件所包括的两个构件进行焊接且沿第一方向延伸的线状的焊接部的汇流条，其中，焊接部遍及两个构件中的至少一个构件的第一方向的大致两端之间设置。另外，在汇流条中，例如可以是，两个构件均沿第一方向延伸且沿与该第一方向交叉的相同的方向延伸。另外，在汇流条中，例如也可以是，两个构件中的一个构件沿第一方向延伸且沿与该第一方向交叉的第二方向，两个构件中的另一个构件沿第一方向延伸且沿与该第一方向及第二方向交叉的第三方向延伸。
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