半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103794641A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201310288660.X

    申请日:2013-07-10

    Abstract: 本发明提供一种实现通态电阻的降低或电流崩塌的抑制并且防止了耐压降低的半导体装置。该半导体装置具备:形成于基板上的由氮化物系半导体构成的第1半导体层,形成于所述第1半导体层的表面的、由带隙比所述第1半导体层宽的氮化物系半导体构成的第2半导体层,形成于所述第2半导体层的表面上的第1电极,形成于所述第2半导体层的表面上的第2电极,形成于所述第2半导体层的表面的所述第1电极和所述第2电极之间的电极间绝缘膜,以及形成于所述电极间绝缘膜上的由绝缘体构成的介电常数调节层,其中,所述第1电极具有以上载至所述电极间绝缘膜的方式形成的场板部,所述介电常数调节层具有与所述场板部的侧端部接触的第1介电常数调节层和形成于所述第1介电常数调节层上的第2介电常数调节层。

    光学模块及光输出装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108603983B

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN201780009203.9

    申请日:2017-02-06

    Abstract: 本发明提供一种光学模块及光输出装置,其能够简便地连接芯径不同的各光纤。光学模块(14、214、314)具有:入射侧光纤(41),其与激光的入射侧对应;出射侧光纤(42),其与激光的出射侧对应;以及连接保护部(44),其设置在覆盖用于光学连接入射侧光纤(41)和出射侧光纤(42)的连接部位(43)的位置,出射侧光纤(42)具有比入射侧光纤大的芯径(41a的芯径<41b的芯径),连接部位(43)是入射侧光纤(41)和出射侧光纤(42)的芯部(41a、42a)之间以不连续的形状被连接的部位,连接保护部(44)由导热性保护材料、和/或与入射侧光纤的包层部(41b)相比具有同等以上的折射率的折光性保护材料构成。

    光学模块及光输出装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108603983A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201780009203.9

    申请日:2017-02-06

    CPC classification number: G02B6/255 G02B6/26 H01S3/067

    Abstract: 本发明提供一种光学模块及光输出装置,其能够简便地连接芯径不同的各光纤。光学模块(14、214、314)具有:入射侧光纤(41),其与激光的入射侧对应;出射侧光纤(42),其与激光的出射侧对应;以及连接保护部(44),其设置在覆盖用于光学连接入射侧光纤(41)和出射侧光纤(42)的连接部位(43)的位置,出射侧光纤(42)具有比入射侧光纤大的芯径(41a的芯径<41b的芯径),连接部位(43)是入射侧光纤(41)和出射侧光纤(42)的芯部(41a、42a)之间以不连续的形状被连接的部位,连接保护部(44)由导热性保护材料、和/或与入射侧光纤的包层部(41b)相比具有同等以上的折射率的折光性保护材料构成。

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