公开(公告)号：CN1943035B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200580010946.5

申请日：2005-05-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 池田成明 ,  李江 ,  吉田清辉

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供一种GaN系半导体装置，其通态电阻低、反偏压的电压外加时的漏电流非常小，而且耐压特性非常优异，其结构具备：III-V族氮化物半导体层，其至少包含1个带隙能量不同的III-V族氮化物半导体的异质结结构；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极接触，并配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面。

公开(公告)号：CN101378062A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810214953.2

申请日：2008-08-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 野村刚彦 ,  神林宏 ,  新山勇树 ,  吉田清辉

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/86 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H03K3/0315

Abstract: 一种ED反相电路及包含ED反相电路的集成电路元件，其中具有较宽带隙的第二氮化物基化物半导体的第二半导体层形成在具有较小带隙的第一氮化物基化合物半导体的第一半导体层上，该第二半导体层包括开口，在通过开口露出的第一半导体层的一部分上形成栅绝缘层。在第一栅电极两侧形成的第一源电极和第一漏电极与第二半导体层形成欧姆接触。第二栅电极与第二半导体层形成肖特基接触，在第二栅电极两侧形成的第二源电极和第二漏电极与第二半导体层形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN1943035A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580010946.5

申请日：2005-05-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 池田成明 ,  李江 ,  吉田清辉

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003

Abstract: 提供一种GaN系半导体装置，其通态电阻低、反偏压的电压外加时的漏电流非常小，而且耐压特性非常优异，其结构具备：III－V族氮化物半导体层，其至少包含1个带隙能量不同的III－V族氮化物半导体的异质结结构；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极接触，并配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面。

公开(公告)号：CN101378062B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200810214953.2

申请日：2008-08-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 野村刚彦 ,  神林宏 ,  新山勇树 ,  吉田清辉

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/86 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H03K3/0315

Abstract: 一种ED反相电路及包含ED反相电路的集成电路元件，其中具有较宽带隙的第二氮化物基化物半导体的第二半导体层形成在具有较小带隙的第一氮化物基化合物半导体的第一半导体层上，该第二半导体层包括开口，在通过开口露出的第一半导体层的一部分上形成栅绝缘层。在第一栅电极两侧形成的第一源电极和第一漏电极与第二半导体层形成欧姆接触。第二栅电极与第二半导体层形成肖特基接触，在第二栅电极两侧形成的第二源电极和第二漏电极与第二半导体层形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN100590886C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200410031417.0

申请日：2004-03-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 吉田清辉

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明在于提供夹断特性优良的、使用氮化物系化合物半导体的电子器件。在由氮化物系化合物半导体构成的电子器件的衬底上，交替层叠多层不同材料的薄缓冲层，通过抑制材料不同的缓冲层接触面附近带隙较小的层中的2维电子气的积累，抑制了泄漏电流的发生。

公开(公告)号：CN101138074A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680007935.6

申请日：2006-05-25

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 池田成明 ,  吉田清辉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475

Abstract: 本发明涉及一种III－V族氮化物系化合物半导体装置，尤其涉及一种在该半导体的n型层上形成低接触电阻的电极的III－V族氮化物系化合物半导体装置，特别是GaN系半导体装置及其电极形成方法。为提供接触电阻率低的电极形成方法及具有此种电极的半导体装置，在III－V族氮化物系化合物半导体的n型层的表面上形成的电极的电极材料中至少使用Ti、Al、Si。特别地，通过在III－V族氮化物系化合物半导体的n型层的表面上形成Ti层，并在Ti层上叠层由Al和Si的混晶相构成的层，能够形成良好的电极。

公开(公告)号：CN1595659A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410031417.0

申请日：2004-03-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 吉田清辉

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明在于提供夹断特性优良的、使用氮化物系化合物半导体的电子器件。在由氮化物系化合物半导体构成的电子器件的衬底上，交替层叠多层不同材料的薄缓冲层，通过抑制材料不同的缓冲层接触面附近带隙较小的层中的2维电子气的积累，抑制了泄漏电流的发生。