半导体晶片的切割方法以及用于该方法的半导体加工用切割带

    公开(公告)号:CN103426743B

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201310170774.4

    申请日:2013-05-10

    Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的切割方法以及半导体加工用切割带,所述切割方法包括:(a)通过接合剂将支撑部件贴合在半导体晶片的电路面侧的工序;(b)对与该晶片的电路面相反一侧的背面进行薄片化加工的工序;(c)在与该晶片的电路面相反一侧的背面上,贴合至少具有紫外线固化型粘合剂层的切割带的工序;(d)将该晶片从该接合剂层以及支撑部件上剥离的工序;(e)使用有机溶剂对该半导体晶片上的该接合剂的残渣进行清洗的工序;以及(f)对该半导体晶片进行切断和芯片化的工序,其中,在所述(e)工序之前,所述切割带上未贴合有所述半导体晶片的区域的粘合剂层经紫外线照射进行了固化。

    粘合带及晶片加工用胶带
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105143380B

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201480016641.4

    申请日:2014-03-27

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种晶片加工用胶带,其具有适于利用扩张来截断胶粘剂层的工序的均匀扩张性和拾取性,并且刀片划片工序中的切削性和拾取性也优异。本发明使用如下的粘合带,其特征在于,在基材膜的一方的面上层叠粘合剂层,在比较从所述粘合剂层的所述基材膜侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000~650cm-1的红外光谱、和从所述粘合剂层的与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000~650cm-1的红外光谱时,匹配度为95%以下,从与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的粘合剂层含有在分子中具有放射线固化性碳-碳双键的化合物(A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺‑甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物(B)。

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