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公开(公告)号：CN103426743B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201310170774.4
申请日：2013-05-10
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , B28D5/04
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的切割方法以及半导体加工用切割带，所述切割方法包括：(a)通过接合剂将支撑部件贴合在半导体晶片的电路面侧的工序；(b)对与该晶片的电路面相反一侧的背面进行薄片化加工的工序；(c)在与该晶片的电路面相反一侧的背面上，贴合至少具有紫外线固化型粘合剂层的切割带的工序；(d)将该晶片从该接合剂层以及支撑部件上剥离的工序；(e)使用有机溶剂对该半导体晶片上的该接合剂的残渣进行清洗的工序；以及(f)对该半导体晶片进行切断和芯片化的工序，其中，在所述(e)工序之前，所述切割带上未贴合有所述半导体晶片的区域的粘合剂层经紫外线照射进行了固化。
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公开(公告)号：CN105765700A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064677.X
申请日：2014-11-27
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J127/12 , C09J183/10 , C09J201/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09J183/10 , C08G77/442 , C09J7/20 , C09J11/08 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2427/00 , C09J2433/00 , C09J2483/00 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其具备于支撑构件的物理/机械性剥离时所需的牢固粘合性，且即使将用以洗涤将支撑构件贴合于半导体晶片上的粘合剂残渣的洗涤液施加于粘合剂时，亦不使粘合剂溶解而污染半导体组件，且能使隐形切割(stealth dicing)所需的激光透过，将激光光入射于半导体晶片而形成改性层，可使半导体晶片单片化成半导体芯片。本发明的半导体加工用粘合带是在基材树脂薄膜的至少一面上形成辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，前述粘合剂层在辐射线照射前对甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°，自前述基材树脂薄膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透过率为88％以上且小于100％。
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公开(公告)号：CN103370770B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201280008726.9
申请日：2012-10-22
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , B32B27/32 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: B32B27/32 , B32B2250/03 , B32B2250/242 , B32B2250/40 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2423/006 , C09J2423/046 , C09J2423/166 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘合胶带，其在半导体器件的加工中，能够在不需要新的设备改良、不需要导入消耗品的情况下防止半导体器件上的切削屑的附着，从而进行划片。本发明涉及一种粘合胶带，其是在对整体密封的封装体进行划片并单片化、分割成各个封装体时，为了固定整体密封的封装体而使用的粘合胶带（1），其中，在基材薄膜（3）上具有紫外线固化型粘合剂层（5），在紫外线照射前，粘合剂层（5）表面对纯水的接触角为115°以下、且对二碘甲烷的接触角为65°以下。
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公开(公告)号：CN103370770A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280008726.9
申请日：2012-10-22
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , B32B27/32 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: B32B27/32 , B32B2250/03 , B32B2250/242 , B32B2250/40 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2423/006 , C09J2423/046 , C09J2423/166 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘合胶带，其在半导体器件的加工中，能够在不需要新的设备改良、不需要导入消耗品的情况下防止半导体器件上的切削屑的附着，从而进行划片。本发明涉及一种粘合胶带，其是在对整体密封的封装体进行划片并单片化、分割成各个封装体时，为了固定整体密封的封装体而使用的粘合胶带（1），其中，在基材薄膜（3）上具有紫外线固化型粘合剂层（5），在紫外线照射前，粘合剂层（5）表面对纯水的接触角为115°以下、且对二碘甲烷的接触角为65°以下。
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公开(公告)号：CN105765700B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480064677.X
申请日：2014-11-27
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/24 , C09J127/12 , C09J183/10 , C09J201/00
CPC classification number: C09J183/10 , C08G77/442 , C09J7/20 , C09J11/08 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2427/00 , C09J2433/00 , C09J2483/00 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其具备于支撑构件的物理/机械性剥离时所需的牢固粘合性，且即使将用以洗涤将支撑构件贴合于半导体晶片上的粘合剂残渣的洗涤液施加于粘合剂时，亦不使粘合剂溶解而污染半导体组件，且能使隐形切割(stealth dicing)所需的激光透过，将激光光入射于半导体晶片而形成改性层，可使半导体晶片单片化成半导体芯片。本发明的半导体加工用粘合带是在基材树脂薄膜的至少一面上形成辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，前述粘合剂层在辐射线照射前对甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°，自前述基材树脂薄膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透过率为88％以上且小于100％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104081500A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380007115.7
申请日：2013-09-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: C09J5/00 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2415/00 , C09J2433/00
Abstract: 本发明提供一种放射线固化型切割用粘合带，其即使对设置有贯通电极的半导体芯片等也能在拾取工序时容易地进行拾取而不会产生残胶。本发明的放射线固化型切割用粘合带(1)，其特征在于，其是在基材片(2)上设置有放射线固化型粘合剂层(3)的放射线固化型粘合带(1)，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比即放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量为1.0～1.8。
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公开(公告)号：CN105684131B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480057866.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/22 , C09J7/38 , C09J133/00
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本发明的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probe tack test)的峰值为100～600kPa。
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公开(公告)号：CN104756235B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380054399.5
申请日：2013-10-15
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J131/04 , C09J133/00
CPC classification number: C09J133/08 , C08K5/12 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J131/04 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00
Abstract: 本发明提供一种切割胶带，其在切割工序后的拾取工序中，不会使薄型的半导体芯片产生芯片破裂，且可在短时间内效率良好地拾取。本发明的切割胶带(1)的粘合剂层，相对于选自丙烯酸聚合物、乙酸乙烯酯聚合物及具有碳‑碳双键的丙烯酸系聚合物中的1种或2种以上的聚合物100质量份，含0.5～30质量份的邻苯二甲酸酯类，且剥离力在放射线固化前为0.5N/25mm以上，放射线固化后为0.05～0.4N/25mm，在将放射线固化后的在剥离速度50mm/min下的剥离力设为(i)、且将1000mm/min下的剥离力设为(ii)时，(ii)/(i)为1以下。
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公开(公告)号：CN104756235A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380054399.5
申请日：2013-10-15
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J131/04 , C09J133/00
CPC classification number: C09J133/08 , C08K5/12 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J131/04 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00
Abstract: 本发明提供一种切割胶带，其在切割工序后的拾取工序中，不会使薄型的半导体芯片产生芯片破裂，且可在短时间内效率良好地拾取。本发明的切割胶带(1)的粘合剂层，相对于选自丙烯酸聚合物、乙酸乙烯酯聚合物及具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物中的1种或2种以上的聚合物100质量份，含0.5～30质量份的邻苯二甲酸酯类，且剥离力在放射线固化前为0.5N/25mm以上，放射线固化后为0.05～0.4N/25mm，在将放射线固化后的在剥离速度50mm/min下的剥离力设为(i)、且将1000mm/min下的剥离力设为(ii)时，(ii)/(i)为1以下。
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公开(公告)号：CN102714151A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180005830.8
申请日：2011-03-29
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/02 , H01L21/52
CPC classification number: C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2433/006 , H01L21/67132
Abstract: 本发明的课题在于提供一种半导体晶片加工用粘合片，该半导体晶片加工用粘合片即使是在晶片背面直接贴合有切割片的装置中，也能够在切割工序结束后容易地进行剥离，并且可显著减少污染物质的附着。本发明的半导体晶片加工用粘合片为由放射线透过性的基材树脂膜与该基材树脂膜上的粘合剂层形成的半导体晶片加工用粘合片，其中，该粘合剂层是由使用了下述放射线固化性树脂组合物(I)或放射线固化性树脂组合物(II)中的任意之一的层而构成的，所述放射线固化性树脂组合物(I)中，相对于以聚合物(a)为主成分的基础树脂100质量份，含有由凝胶渗透色谱法测定并以聚苯乙烯为标准物质进行换算的重均分子量小于1000的光聚合引发剂(b)0.1质量份～10质量份，该聚合物(a)中，对于主链的重复单元结合了具有(甲基)丙烯酸系单体部分的残基，所述(甲基)丙烯酸系单体部分具有包含放射线固化性碳-碳双键的基团；所述放射线固化性树脂组合物(II)中，相对于基础树脂100质量份，含有在分子内至少具有2个光聚合性碳-碳双键且重均分子量为10,000以下的化合物1质量份～300质量份、由凝胶渗透色谱法测定并以聚苯乙烯为标准物质进行换算的重均分子量小于1000的光聚合引发剂0.1质量份～10质量份。
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