公开(公告)号：CN107614641B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201680032247.9

申请日：2016-10-05

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 青山真沙美 ,  佐野透

IPC: C09J7/30 ,  B32B15/08 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J133/06 ,  C09J163/00 ,  C09J171/12 ,  C09J175/14 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供在切割时能够将半导体晶圆良好地单片化、在封装时能够防止封装裂纹的产生的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征在于，其具有：含有基材膜(11)和粘合剂层(12)的切割带(13)、设置在上述粘合剂层(12)上且用于保护半导体芯片的背面的金属层(14)、和设置在上述金属层(14)上且用于将上述金属层(14)粘接到半导体芯片的背面上的粘接剂层(15)，上述金属层(14)的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。

公开(公告)号：CN108076669B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201680056349.4

申请日：2016-11-14

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  杉山二朗 ,  青山真沙美 ,  石黑邦彦

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/40 ,  H01L21/683 ,  B32B15/092 ,  B32B15/08 ,  B32B7/12 ,  C09J7/30 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种电子器件封装用带，其能够抑制在对粘接剂层进行预固化时半导体、粘接剂层及半导体芯片的层叠体发生翘曲，并且能够抑制在倒装片连接时粘接剂层产生空隙。本发明的电子器件封装用带，其特征在于，具有：具有基材膜和粘合剂层的粘合带、层叠地设置于粘合剂层的与基材膜相反的一侧的金属层、以及设置于金属层的与粘合剂层相反的一侧且用于将金属层粘接于电子器件的背面的粘接剂层，粘接剂层在100℃加热3小时后的25℃下的储能模量为10GPa以下，在100℃加热3小时时的固化率为10～100％。

公开(公告)号：CN107614641A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680032247.9

申请日：2016-10-05

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 青山真沙美 ,  佐野透

IPC: C09J7/30 ,  B32B15/08 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J133/06 ,  C09J163/00 ,  C09J171/12 ,  C09J175/14 ,  H01L21/301

CPC classification number: B32B15/08 ,  C09J7/20 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J133/06 ,  C09J163/00 ,  C09J171/12 ,  C09J175/14

Abstract: 本发明提供在切割时能够将半导体晶圆良好地单片化、在封装时能够防止封装裂纹的产生的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征在于，其具有：含有基材膜(11)和粘合剂层(12)的切割带(13)、设置在上述粘合剂层(12)上且用于保护半导体芯片的背面的金属层(14)、和设置在上述金属层(14)上且用于将上述金属层(14)粘接到半导体芯片的背面上的粘接剂层(15)，上述金属层(14)的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。

公开(公告)号：CN109496227B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201880002875.1

申请日：2018-04-27

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 切替德之 ,  佐野透 ,  森田稔

IPC: C09J7/10 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J171/10 ,  C09J201/00 ,  H01L21/52

Abstract: 一种粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法，该粘接膜是由含有热固性树脂、热塑性树脂和导热填料的粘接剂层构成的粘接膜，其中，上述导热填料的导热系数为12W/m·K以上且在上述粘接剂层中的含量为30～50体积％，上述热塑性树脂包含至少一种苯氧基树脂，并且对于固化后的粘接剂层而言，由下述数学式(1)计算出的可靠性系数S1为50～220(×10‑6GPa)，由下述数学式(2)计算出的可靠性系数S2为10～120(×10‑8GPa)，导热系数为0.5W/m·K以上。S1＝(Tg－25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(储能模量E’[GPa]260℃下)···(1)S2＝S1×(饱和吸水率WA[质量％])···(2)数学式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、储能模量E’和饱和吸水率WA是针对固化后的粘接剂层的值。Tg为玻璃化转变温度，CTEα1为该玻璃化转变温度以下的线膨胀系数，储能模量E’是在260℃测定的值。另外，[]内表示单位。

公开(公告)号：CN108779375B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201680083857.1

申请日：2016-11-22

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  丸山弘光 ,  杉山二朗 ,  青山真沙美

IPC: C09J7/30 ,  B32B15/08 ,  B32B27/00 ,  C09J11/04 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种电子器件封装用带，其在预切割加工时能够将金属层保持于基材带，并且在使用时能够良好地剥离基材带。本发明的电子器件封装用带(1)具有：基材带(2)，其具有粘合面；金属层(3)，其设置在基材带(2)的粘合面上，具有给定的平面形状；粘接剂层(4)，其与金属层(3)层叠地设置于金属层(3)的与基材带(2)侧相反的一侧，并具有给定的平面形状；以及粘合带(5)，其覆盖粘接剂层(4)，并具有给定的平面形状的标签部(5a)，标签部(5a)被设置为在粘接剂层(4)的周围与基材带(2)接触。基材带(2)与金属层(3)的粘合力(P1)为0.01～0.5N/25mm，基材带(2)与粘合带(5)的粘合力(P2)为0.01～0.5N/25mm，P1/P2为0.1～10。

公开(公告)号：CN107431002B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201680016498.8

申请日：2016-03-24

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  杉山二朗 ,  青山真沙美

IPC: H01L21/67 ,  C09J7/20 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种热收缩率低、因不论带的方向都能均匀收缩而不起褶皱、而且芯片位置不偏移、切口宽度均匀扩张的半导体加工用带。该半导体加工用带的特征在于，在100℃加热了10秒时的带的长度方向的热收缩率以及宽度方向的热收缩率这两者均为0％以上且20％以下，且在长度方向的热收缩率以及宽度方向的热收缩率中的任意一个为0.1％以上时，长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率﹦0.01以上且100以下，(将收缩率设为：收缩率﹦(加热前的尺寸－加热后的尺寸)/加热前的尺寸×100(％))。

公开(公告)号：CN110546737A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880005342.9

申请日：2018-07-18

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  仙台晃 ,  桥本浩介

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩、且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，对于所述粘合带(15)而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和之和为负值。

公开(公告)号：CN107408501B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201680015116.X

申请日：2016-03-23

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  杉山二朗 ,  青山真沙美

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J201/00 ,  C09J7/20

Abstract: 本发明提供一种拾取性优异的半导体加工用带，其在带收缩工序中热收缩率低，不会产生褶皱，并且切缝宽度充分扩张而芯片位置不会偏移。一种半导体加工用带，其特征在于，具有粘合带，该粘合带具备基材膜和形成于上述基材膜的至少一面侧的粘合剂层，在通过扩展分割粘接剂的工序中，按照JIS7162中规定的方法，上述粘合带在10％的拉伸伸长率时的仅基材的应力与粘合带的应力的关系如下：粘合带的应力/仅基材的应力＝1以下。

公开(公告)号：CN107431002A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680016498.8

申请日：2016-03-24

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 佐野透 ,  杉山二朗 ,  青山真沙美

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种热收缩率低、因不论带的方向都能均匀收缩而不起褶皱、而且芯片位置不偏移、切口宽度均匀扩张的半导体加工用带。该半导体加工用带的特征在于，在100℃加热了10秒时的带的长度方向的热收缩率以及宽度方向的热收缩率这两者均为0％以上且20％以下，且在长度方向的热收缩率以及宽度方向的热收缩率中的任意一个为0.1％以上时，长度方向的热收缩率/宽度方向的热收缩率﹦0.01以上且100以下，(将收缩率设为：收缩率﹦(加热前的尺寸－加热后的尺寸)/加热前的尺寸×100(％))。

公开(公告)号：CN109041575A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201680083866.0

申请日：2016-11-28

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 青山真沙美 ,  杉山二朗 ,  石黑邦彦 ,  佐野透

IPC: C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J171/10 ,  C09J7/20 ,  C09J133/08 ,  C09J133/00 ,  C09J133/14 ,  C09J175/14

Abstract: 本发明提供一种电子器件封装用带，其能抑制在从粘合带拾取带粘接剂层的金属层时因拾取装置的顶针的顶起使金属层变形而产生顶针的痕迹，能抑制在粘接剂层与被粘物之间产生空隙。本发明的电子器件封装用带(1)具有：粘合带(5)，其具有基材膜(51)和粘合剂层(52)；粘接剂层(4)，其被设置为层叠于粘合剂层(52)的与基材膜(51)相反的一侧；以及金属层(3)，其被设置为层叠于粘接剂层(4)的与粘合剂层(52)相反的一侧，金属层(3)的厚度为5μm以上且小于200μm，从粘合带(5)拾取粘接剂层(4)和金属层(3)的状态下的粘合带(5)与粘接剂层(4)的粘合力为0.03～0.5N/25mm。