公开(公告)号：CN105405401A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201511023491.2

申请日：2015-12-30

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 叶啟宇 ,  胡晟民 ,  黄彦士

IPC: G09G3/3233

CPC classification number: H01L27/3262 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/0233 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种像素电路，包含第一晶体管、电容元件、发光元件、第二晶体管以及第三晶体管。第一晶体管包含栅极与半导体层，半导体层包含通道区、源极区、第一漏极区以及第二漏极区。通道区的第一部分连接源极区，通道区的第二部分连接第一漏极区，通道区的第三部分连接第二漏极区，第二部分的通道宽度大于第三部分的通道宽度。电容元件之一端与第一晶体管之栅极电性连接。第二晶体管包含直接连接第二漏极区的源极区以及电性连接发光元件的漏极区。第三晶体管包含直接连接第一漏极区的源极区以及电性连接电容元件之一端的漏极区。

公开(公告)号：CN105405401B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201511023491.2

申请日：2015-12-30

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 叶啟宇 ,  胡晟民 ,  黄彦士

IPC: G09G3/3233

CPC classification number: H01L27/3262 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/0233 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种像素电路，包含第一晶体管、电容元件、发光元件、第二晶体管以及第三晶体管。第一晶体管包含栅极与半导体层，半导体层包含通道区、源极区、第一漏极区以及第二漏极区。通道区的第一部分连接源极区，通道区的第二部分连接第一漏极区，通道区的第三部分连接第二漏极区，第二部分的通道宽度大于第三部分的通道宽度。电容元件之一端与第一晶体管之栅极电性连接。第二晶体管包含直接连接第二漏极区的源极区以及电性连接发光元件的漏极区。第三晶体管包含直接连接第一漏极区的源极区以及电性连接电容元件之一端的漏极区。