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公开(公告)号：CN102157578B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110058501.1
申请日：2011-03-01
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一半导体基底、一第一掺杂半导体层、一绝缘层、一第二掺杂半导体层以及一第一电极层。半导体基底具有第一掺杂型式。第一掺杂半导体层设置于半导体基底上，且第一掺杂半导体层包含一掺杂接触区。绝缘层设置于第一掺杂半导体层上且暴露出掺杂接触区。第二掺杂半导体层设置于绝缘层与掺杂接触区上。第一掺杂半导体层、掺杂接触区与第二掺杂半导体层具有第二掺杂型式，且第二掺杂半导体层的掺杂浓度实质上介于掺杂接触区的掺杂浓度与第一掺杂半导体层的掺杂浓度之间。第一电极层对应于掺杂接触区。本发明的太阳能电池及其制作方法，可提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102163629B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110052301.5
申请日：2011-03-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，其包括第一导电型基板、第二导电型半导体层、钝化层、第一电极层以及第二电极层。第二导电型半导体层位于第一导电型基板上。钝化层位于第二导电型半导体层上。第一电极层位于钝化层上，其中第一电极层包括至少一条连接部、多组延伸部以及多个边缘部。连接部的边缘为非直线边缘。多组延伸部与连接部连接，并从连接部往连接部的两侧延伸至第一导电型基板的边缘。边缘部将延伸至第一导电型基板边缘的每一组延伸部中的延伸部连接在一起。第二电极层对应第一电极层设置。本发明的太阳能电池可有助于减少第一电极层的遮光面积，并降低电极材料的使用及制造成本。
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公开(公告)号：CN102157612B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110026738.1
申请日：2011-01-20
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，其中采用激光掺杂工艺来形成正型掺杂区与负型掺杂区，以提高制作掺杂区时的准确度。接点材料可直接利用激光形成开孔，因此，不会有金属接点的阶梯覆盖率不佳的问题。此外，太阳能电池采用梳状的第一电极以及片状的第二电极，搭配相应的第一型掺杂区以及第二型掺杂区，以充分利用半导体基板的空间，提供良好的光电转换效率。由于第二电极为片状并且可由铝等高反射物质制作，因此，有助于提局太阳能电池的光利用率。此太阳能电池的工艺简单，具有高工艺良率。
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公开(公告)号：CN102157580A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110051057.0
申请日：2011-02-25
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/04 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，包括一半导体基材、一重掺杂层、一淡掺杂层、一第一电极层以及一第二电极层。半导体基材具有一第一表面以及一第二表面。重掺杂层位于半导体基材内，且从半导体基材的第一表面往半导体基材之内部延伸一第一厚度。淡掺杂层位于半导体基材内，且从重掺杂层往半导体基材之内部延伸一第二厚度，其中重掺杂层的第一厚度小于淡掺杂层的第二厚度。第一电极层位于半导体基材的第一表面上。第二电极层位于半导体基材的第二表面上。本发明能提高太阳能电池的效能，并且能大幅缩减制造工艺时间与降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102163649B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110052208.4
申请日：2011-03-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池的制造方法，其包括：提供一第一型掺杂半导体基材，其具有一第一表面以及一第二表面；于部分的第一型掺杂半导体基材中形成一第二型掺杂扩散区，第二型掺杂扩散区自第一表面延伸至第一型掺杂半导体基材中；于第一表面上形成一与第二型扩散层接触的抗反射层；于抗反射层上形成一导电胶，其包括导电粒子以及第二型掺质，并进行一共烧结工艺，以使导电胶穿过抗反射层而形成一嵌于抗反射层的第一接触导体，在共烧结工艺中，第二型掺质扩散至第二型掺杂扩散区以形成一第二型重掺杂区；以及于第一型掺杂半导体基材的第二表面上形成一第二接触导体。本发明的太阳电池的制造方法具有制造成本低廉、控制容易以及良率高等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157580B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110051057.0
申请日：2011-02-25
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，包括一半导体基材、一重掺杂层、一淡掺杂层、一第一电极层以及一第二电极层。半导体基材具有一第一表面以及一第二表面。重掺杂层位于半导体基材内，且从半导体基材的第一表面往半导体基材之内部延伸一第一厚度。淡掺杂层位于半导体基材内，且从重掺杂层往半导体基材之内部延伸一第二厚度，其中重掺杂层的第一厚度小于淡掺杂层的第二厚度。第一电极层位于半导体基材的第一表面上。第二电极层位于半导体基材的第二表面上。本发明能提高太阳能电池的效能，并且能大幅缩减制造工艺时间与降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102163629A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110052301.5
申请日：2011-03-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，其包括第一导电型基板、第二导电型半导体层、钝化层、第一电极层以及第二电极层。第二导电型半导体层位于第一导电型基板上。钝化层位于第二导电型半导体层上。第一电极层位于钝化层上，其中第一电极层包括至少一条连接部、多组延伸部以及多个边缘部。连接部的边缘为非直线边缘。多组延伸部与连接部连接，并从连接部往连接部的两侧延伸至第一导电型基板的边缘。边缘部将延伸至第一导电型基板边缘的每一组延伸部中的延伸部连接在一起。第二电极层对应第一电极层设置。本发明的太阳能电池可有助于减少第一电极层的遮光面积，并降低电极材料的使用及制造成本。
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公开(公告)号：CN102163649A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110052208.4
申请日：2011-03-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池的制造方法，其包括：提供一第一型掺杂半导体基材，其具有一第一表面以及一第二表面；于部分的第一型掺杂半导体基材中形成一第二型掺杂扩散区，第二型掺杂扩散区自第一表面延伸至第一型掺杂半导体基材中；于第一表面上形成一与第二型扩散层接触的抗反射层；于抗反射层上形成一导电胶，其包括导电粒子以及第二型掺质，并进行一共烧结工艺，以使导电胶穿过抗反射层而形成一嵌于抗反射层的第一接触导体，在共烧结工艺中，第二型掺质扩散至第二型掺杂扩散区以形成一第二型重掺杂区；以及于第一型掺杂半导体基材的第二表面上形成一第二接触导体。本发明的太阳电池的制造方法具有制造成本低廉、控制容易以及良率高等优势。
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公开(公告)号：CN102157612A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110026738.1
申请日：2011-01-20
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，其中采用激光掺杂工艺来形成正型掺杂区与负型掺杂区，以提高制作掺杂区时的准确度。接点材料可直接利用激光形成开孔，因此，不会有金属接点的阶梯覆盖率不佳的问题。此外，太阳能电池采用梳状的第一电极以及片状的第二电极，搭配相应的第一型掺杂区以及第二型掺杂区，以充分利用半导体基板的空间，提供良好的光电转换效率。由于第二电极为片状并且可由铝等高反射物质制作，因此，有助于提局太阳能电池的光利用率。此太阳能电池的工艺简单，具有高工艺良率。
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公开(公告)号：CN102157578A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110058501.1
申请日：2011-03-01
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一半导体基底、一第一掺杂半导体层、一绝缘层、一第二掺杂半导体层以及一第一电极层。半导体基底具有第一掺杂型式。第一掺杂半导体层设置于半导体基底上，且第一掺杂半导体层包含一掺杂接触区。绝缘层设置于第一掺杂半导体层上且暴露出掺杂接触区。第二掺杂半导体层设置于绝缘层与掺杂接触区上。第一掺杂半导体层、掺杂接触区与第二掺杂半导体层具有第二掺杂型式，且第二掺杂半导体层的掺杂浓度实质上介于掺杂接触区的掺杂浓度与第一掺杂半导体层的掺杂浓度之间。第一电极层对应于掺杂接触区。本发明的太阳能电池及其制作方法，可提升太阳能电池的光电转换效率。
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