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公开(公告)号：CN103811591B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410069201.7
申请日：2014-02-27
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01B1/22 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/035281 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种背接触式太阳能电池的制作方法，包含在半导体基板的背光表面上制作n型掺杂区、p型掺杂区以及背抗反射层。借由含铅的导电胶穿过背抗反射层，与n型掺杂区与p型掺杂区连接，而作为n型电极与p型电极。
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公开(公告)号：CN103178135B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310059480.4
申请日：2013-02-26
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 胡雁程
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供太阳能电池，包括一基底、一轻掺杂区、一半导体层、一第一电极以及一第二电极。基底具有第一表面与第二表面，两者相对设置。轻掺杂区位于基底的第一表面上，其掺杂类型与基底的掺杂类型相反。半导体层设于轻掺杂区上方，其掺杂类型相同于基底。第一电极位于基底的第一表面上，且第一电极的底部切齐于轻掺杂区与基底第一表面之间的接口。第二电极设于基底的第二表面。
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公开(公告)号：CN103178135A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310059480.4
申请日：2013-02-26
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 胡雁程
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供太阳能电池，包括一基底、一轻掺杂区、一半导体层、一第一电极以及一第二电极。基底具有第一表面与第二表面，两者相对设置。轻掺杂区位于基底的第一表面上，其掺杂类型与基底的掺杂类型相反。半导体层设于轻掺杂区上方，其掺杂类型相同于基底。第一电极位于基底的第一表面上，且第一电极的底部切齐于轻掺杂区与基底第一表面之间的接口。第二电极设于基底的第二表面。
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公开(公告)号：CN102800720A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110141569.6
申请日：2011-05-27
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/05 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池模组，其包括基板、若干太阳能电池及背板。所述太阳能电池模组进一步包括导电线路层。所述导电线路层包括基体和嵌在所述基体中的多个导电条。所述基板与所述导电条位于所述基体的相对两侧。所述太阳能电池设置在所述基体上且每一个太阳能电池位于一对相邻的导电条之间并与相应的导电条接触。所述太阳能电池与所述导电线路层夹设在所述基板与所述背板之间。本发明的太阳能电池模组及其导电线路层中的导电条镶嵌在基体上，且与太阳能电池之间仅接触而没有焊接，因而，可以极大的减少焊接处的数量，或不需要焊接，这可以降低加工时间和成本，而且可降低整个太阳能电池模组的接触电阻。
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公开(公告)号：CN102157578B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110058501.1
申请日：2011-03-01
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一半导体基底、一第一掺杂半导体层、一绝缘层、一第二掺杂半导体层以及一第一电极层。半导体基底具有第一掺杂型式。第一掺杂半导体层设置于半导体基底上，且第一掺杂半导体层包含一掺杂接触区。绝缘层设置于第一掺杂半导体层上且暴露出掺杂接触区。第二掺杂半导体层设置于绝缘层与掺杂接触区上。第一掺杂半导体层、掺杂接触区与第二掺杂半导体层具有第二掺杂型式，且第二掺杂半导体层的掺杂浓度实质上介于掺杂接触区的掺杂浓度与第一掺杂半导体层的掺杂浓度之间。第一电极层对应于掺杂接触区。本发明的太阳能电池及其制作方法，可提升太阳能电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403402A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110335105.9
申请日：2011-10-26
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/02963 , H01L31/0323 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1828 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池的制造方法。提供一第一型基底，其具有一第一表面与一第二表面。使用一第一掺质对第一型基底的第一表面进行一第一掺杂工艺，以形成一第一型淡掺杂层。使用一第二掺质对部分第一型淡掺杂层进行一第二掺杂工艺，以形成一第二型重掺杂区，其中第二掺质的原子量大于第一掺质的原子量，第一掺杂工艺的温度高于第二掺杂工艺的温度。于第二型重掺杂区上形成一第一电极。于第一型基底的第二表面上形成一第二电极。本发明的方法能于淡掺杂层中清楚地定义深度较浅的重掺杂区，使得作为选择性射极的重掺杂区能对电极提供良好的欧姆接触，进而有效地提升太阳能电池中的再结合效率，使得太阳能电池具有较佳的效率。
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公开(公告)号：CN103165693B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310052722.7
申请日：2013-02-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 胡雁程
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/022425 , H01L31/0504 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开一种太阳能模块包含至少两太阳能电池与一导电带。每一太阳能电池包含光电转换元件、入光面电极与背光面电极。光电转换元件具有彼此相对的入光面与背光面。入光面电极设置于光电转换元件的入光面上，此入光面电极包含至少一总线电极与多个分支电极。总线电极包含至少两个线电极，这些线电极位于入光面上。分支电极位于入光面上，且与总线电极以不同方向延伸。背光面电极设置于光电转换元件的背光面上。导电带用以电性连接上述至少两太阳能电池。本发明使太阳能电池的制造成本降低。
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公开(公告)号：CN103165693A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310052722.7
申请日：2013-02-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor： 胡雁程
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/022425 , H01L31/0504 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开一种太阳能模块包含至少两太阳能电池与一导电带。每一太阳能电池包含光电转换元件、入光面电极与背光面电极。光电转换元件具有彼此相对的入光面与背光面。入光面电极设置于光电转换元件的入光面上，此入光面电极包含至少一总线电极与多个分支电极。总线电极包含至少两个线电极，这些线电极位于入光面上。分支电极位于入光面上，且与总线电极以不同方向延伸。背光面电极设置于光电转换元件的背光面上。导电带用以电性连接上述至少两太阳能电池。本发明使太阳能电池的制造成本降低。
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公开(公告)号：CN102142478B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110045950.2
申请日：2011-02-25
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/06 , H01L31/0352 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池，其包括半导体基底、掺杂层、量子阱层、第一钝化层、第二钝化层、第一电极以及第二电极。半导体基底具有前表面以及后表面，且半导体基底的前表面为纳米柱。掺杂层覆盖在纳米柱的表面。电极层覆盖掺杂层。量子阱层位于半导体基底上，量子阱层具有至少一第一掺杂区以及至少一第二掺杂区，其中量子阱层包括多晶硅化锗(Si1-xGex)。第一钝化层覆盖量子阱层的第一掺杂区。第二钝化层覆盖量子阱层的第二掺杂区。第一电极以及第二电极分别与量子阱层的第一掺杂区以及第二掺杂区电性连接。
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公开(公告)号：CN102163629B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110052301.5
申请日：2011-03-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，其包括第一导电型基板、第二导电型半导体层、钝化层、第一电极层以及第二电极层。第二导电型半导体层位于第一导电型基板上。钝化层位于第二导电型半导体层上。第一电极层位于钝化层上，其中第一电极层包括至少一条连接部、多组延伸部以及多个边缘部。连接部的边缘为非直线边缘。多组延伸部与连接部连接，并从连接部往连接部的两侧延伸至第一导电型基板的边缘。边缘部将延伸至第一导电型基板边缘的每一组延伸部中的延伸部连接在一起。第二电极层对应第一电极层设置。本发明的太阳能电池可有助于减少第一电极层的遮光面积，并降低电极材料的使用及制造成本。
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