-
公开(公告)号：CN102163649A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110052208.4
申请日：2011-03-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池的制造方法，其包括：提供一第一型掺杂半导体基材，其具有一第一表面以及一第二表面；于部分的第一型掺杂半导体基材中形成一第二型掺杂扩散区，第二型掺杂扩散区自第一表面延伸至第一型掺杂半导体基材中；于第一表面上形成一与第二型扩散层接触的抗反射层；于抗反射层上形成一导电胶，其包括导电粒子以及第二型掺质，并进行一共烧结工艺，以使导电胶穿过抗反射层而形成一嵌于抗反射层的第一接触导体，在共烧结工艺中，第二型掺质扩散至第二型掺杂扩散区以形成一第二型重掺杂区；以及于第一型掺杂半导体基材的第二表面上形成一第二接触导体。本发明的太阳电池的制造方法具有制造成本低廉、控制容易以及良率高等优势。
-
公开(公告)号：CN102157580A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110051057.0
申请日：2011-02-25
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/04 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，包括一半导体基材、一重掺杂层、一淡掺杂层、一第一电极层以及一第二电极层。半导体基材具有一第一表面以及一第二表面。重掺杂层位于半导体基材内，且从半导体基材的第一表面往半导体基材之内部延伸一第一厚度。淡掺杂层位于半导体基材内，且从重掺杂层往半导体基材之内部延伸一第二厚度，其中重掺杂层的第一厚度小于淡掺杂层的第二厚度。第一电极层位于半导体基材的第一表面上。第二电极层位于半导体基材的第二表面上。本发明能提高太阳能电池的效能，并且能大幅缩减制造工艺时间与降低制造成本。
-
公开(公告)号：CN102163649B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110052208.4
申请日：2011-03-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池的制造方法，其包括：提供一第一型掺杂半导体基材，其具有一第一表面以及一第二表面；于部分的第一型掺杂半导体基材中形成一第二型掺杂扩散区，第二型掺杂扩散区自第一表面延伸至第一型掺杂半导体基材中；于第一表面上形成一与第二型扩散层接触的抗反射层；于抗反射层上形成一导电胶，其包括导电粒子以及第二型掺质，并进行一共烧结工艺，以使导电胶穿过抗反射层而形成一嵌于抗反射层的第一接触导体，在共烧结工艺中，第二型掺质扩散至第二型掺杂扩散区以形成一第二型重掺杂区；以及于第一型掺杂半导体基材的第二表面上形成一第二接触导体。本发明的太阳电池的制造方法具有制造成本低廉、控制容易以及良率高等优势。
-
公开(公告)号：CN102157580B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110051057.0
申请日：2011-02-25
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，包括一半导体基材、一重掺杂层、一淡掺杂层、一第一电极层以及一第二电极层。半导体基材具有一第一表面以及一第二表面。重掺杂层位于半导体基材内，且从半导体基材的第一表面往半导体基材之内部延伸一第一厚度。淡掺杂层位于半导体基材内，且从重掺杂层往半导体基材之内部延伸一第二厚度，其中重掺杂层的第一厚度小于淡掺杂层的第二厚度。第一电极层位于半导体基材的第一表面上。第二电极层位于半导体基材的第二表面上。本发明能提高太阳能电池的效能，并且能大幅缩减制造工艺时间与降低制造成本。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
