公开(公告)号：CN113013229A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110209222.4

申请日：2021-02-25

Applicant: 厦门大学 ,  厦门大学九江研究院

Inventor： 吴志明 ,  邹娴 ,  王伟平 ,  孔丽晶 ,  康俊勇 ,  吴雅苹 ,  李煦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅UMOSFET功率器件及其制备方法，其器件结构包括从下到上依次包括漏电极、N+衬底层、N‑漂移层、N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层、两个源电极；两个所述源电极之间设有源区接触层，所述源区接触层的底端设有栅电极，所述栅电极的外壁上包裹有栅极介质，所述栅极介质依次贯穿所述N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层，所述栅极介质镶嵌在N‑漂移层的顶端。本发明通过在材料生长时改变掺杂气体流量，外延自下而上掺杂浓度渐变的漂移层，达到提高器件击穿电压并保持低导通电阻的目的，最终实现高性能器件的制备。