公开(公告)号：CN115084331A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210354691.X

申请日：2022-04-06

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 高江东 ,  樊琦 ,  张建立 ,  王小兰 ,  郑畅达 ,  王立

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种用于制造红光Micro‑LED的氮化物薄膜结构，晶圆作为制造该氮化物薄膜结构的衬底，且晶圆的表面法向与表面晶向之间的夹角为1.0至3.0°，薄膜表面及内部含有台阶形状的层堆叠，所述层堆叠包括：掺Si层、发光量子阱层和掺Mg层。所述台阶形状是由自然生长得到，大小不一、形状不规则，分布均匀，单个台阶由台阶平台和台阶侧壁构成，台阶平台和台阶侧壁之间具有一定夹角，其夹角在90°±10°之间。本发明的优点是：（1）用该氮化物薄膜制备的红光Micro‑LED在工作时具有较低的工作电压；（2）用该氮化物薄膜制备的红光Micro‑LED在工作时，侧表面及其附近的非辐射复合较少，电‑光转换的量子效率较高；（3）用该氮化物薄膜制备的红光Micro‑LED在薄膜面内不同位置上均具有稳定的性能。