外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片

    公开(公告)号:CN115020469A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210573412.9

    申请日:2022-05-25

    Inventor: 化梦媛 陈俊廷

    Abstract: 本发明公开了一种外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片,其中外延结构包括基体以及在基体上形成的垂直堆叠结构,所述垂直堆叠结构包括依次层叠的第一P型区、P型沟道区以及第二P型区,所述第二P型区的一侧表面与所述基体的一侧表面接触;通过上述垂直堆叠的第一P型区、P型沟道区以及第二P型区的外延结构中,P型沟道区可以在不受光刻工艺的限制下,将沟道长度锐减至纳米范围。此外还可以通过调节P型沟道区掺杂浓度,实现对具有上述外延结构的常关型P型晶体管阈值电压的自由调控。

    踝关节助力外骨骼
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111067765A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN202010046488.7

    申请日:2020-01-16

    Abstract: 本申请提供了一种踝关节助力外骨骼,包括脚部支撑板、底部与脚部支撑板固定相连的脚踝穿戴组件、与脚踝穿戴组件顶部转动连接的腿部穿戴组件和用于驱动脚踝穿戴组件相对于腿部穿戴组件转动的电磁驱动机构;电磁驱动机构包括导向筒、滑动安装于导向筒中的驱动杆、带动驱动杆移动的磁体件和驱动磁体件沿导向筒移动的电磁线圈,电磁线圈套于导向筒的外侧,磁体件位于电磁线圈中,驱动杆的一端置于导向筒中并与磁体件相连,驱动杆的另一端伸出导向筒。本申请提供的踝关节助力外骨骼,通过电磁驱动机构驱动脚踝穿戴组件相对于腿部穿戴组件转动,助力响应速度快,减少等待时间,在用户脚蹬地时能够及时地提供助力,使人体下肢能够保持自然步态行走。

    一种三维打印机的打印控制系统及方法

    公开(公告)号:CN108839347A

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201810600169.9

    申请日:2018-06-12

    Abstract: 本发明实施例公开了一种三维打印机的打印控制系统及方法。所述系统包括:至少两个遮挡检测单元以及电机控制器,其中:所述遮挡检测单元固定设置于初始状态的三维打印机的打印平台所在平面的两侧,所述遮挡检测单元用于在所述三维打印机理想的打印平面的两侧进行遮挡检测;所述电机控制器,分别与所述三维打印机的打印平台电机以及所述遮挡检测单元相连;所述电机控制器,用于在所述三维打印机的工作过程中,根据所述遮挡检测单元的遮挡检测结果,对所述打印平台电机进行调整,以控制所述三维打印机实际的打印平面趋近于所述理想的打印平面。通过本发明实施例的技术方案,能够及时校准打印层厚,提高打印密度的均匀性,降低打印失败率。

    P型栅HEMT器件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112670340B

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202011463725.6

    申请日:2020-12-14

    Inventor: 化梦媛 陈俊廷

    Abstract: 本发明公开了一种P型栅HEMT器件。包括:由下至上依次设置有衬底、缓冲层、沟道层、势垒层;第一P型材料层设置在势垒层上,第一源极和第一漏极设置在第一P型材料层两侧;第一导电层设置在第一P型材料层上;第二P型材料层与第一P型材料层连接;第二导电层连接第二P型材料层;第三导电层连接第二P型材料层;第一P型材料层、第一源极、第一漏极和第一导电层用于构成常关型N沟道晶体管;第二P型材料层、第二导电层和第三导电层用于构成常开型P沟道晶体管。通过在GaN HEMT的基础上设置P沟道常开型晶体管,增大了阈值电压和其调节范围,且消除了原P型栅GaN HEMT栅区中的P型材料层中,由等效电荷总量变化所引入的阈值漂移。

    电磁驱动机构
    7.
    发明公开
    电磁驱动机构 审中-实审

    公开(公告)号:CN111113386A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN202010046482.X

    申请日:2020-01-16

    Abstract: 本申请提供了一种用于穿戴式助力外骨骼的电磁驱动机构,包括导向筒、滑动安装于导向筒中的驱动杆、带动驱动杆移动的磁体件和驱动磁体件沿导向筒移动的电磁线圈,电磁线圈套于导向筒的外侧,磁体件位于电磁线圈中,驱动杆的一端置于导向筒中并与磁体件相连,驱动杆的另一端伸出导向筒。本申请提供的电磁驱动机构,通过驱动磁体件沿导向筒移动,磁体件带动驱动杆驱动踝关节助力外骨骼辅助用户踝关节的跖屈运动,由于电磁线圈通电产生磁场的响应速度较快,能够使磁体件在瞬间产生功率足够大的驱动力,可快速带动驱动杆沿轴向伸缩移动,进而驱动踝关节助力外骨骼快速响应助力过程,减少等待时间,在用户脚蹬地时能够及时地提供助力。

    一种具有P型埋层的氧化镓晶体管结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN117199134A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311128458.0

    申请日:2023-08-31

    Inventor: 化梦媛 陈俊廷

    Abstract: 本发明公开了一种具有P型埋层的氧化镓晶体管结构及其制备方法,所述晶体管结构包括由下至上依次设置的衬底层、P型埋层、导电层和介质层;P型埋层位于衬底层的顶部,P型埋层和衬底层的上端均贴合导电层的下端;导电层上设有源极、栅极和漏极,源极穿过导电层和介质层与P型埋层相连;漏极穿过介质层与导电层相连;源极和漏极与导电层形成欧姆接触,栅极与介质层形成肖特基接触。通过衬底层和导电层之间设置P型埋层,将栅极靠近漏极边缘聚集的电场重新分布,从而有效提升氧化镓晶体管结构的耐压能力;通过设置衬底层和导电层,提升氧化镓晶体管结构的底部散热能力。

    P型栅HEMT器件
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112670340A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202011463725.6

    申请日:2020-12-14

    Inventor: 化梦媛 陈俊廷

    Abstract: 本发明公开了一种P型栅HEMT器件。包括:由下至上依次设置有衬底、缓冲层、沟道层、势垒层;第一P型材料层设置在势垒层上,第一源极和第一漏极设置在第一P型材料层两侧;第一导电层设置在第一P型材料层上;第二P型材料层与第一P型材料层连接;第二导电层连接第二P型材料层;第三导电层连接第二P型材料层;第一P型材料层、第一源极、第一漏极和第一导电层用于构成常关型N沟道晶体管;第二P型材料层、第二导电层和第三导电层用于构成常开型P沟道晶体管。通过在GaN HEMT的基础上设置P沟道常开型晶体管,增大了阈值电压和其调节范围,且消除了原P型栅GaN HEMT栅区中的P型材料层中,由等效电荷总量变化所引入的阈值漂移。

    一种三维打印机的打印控制系统及方法

    公开(公告)号:CN108839347B

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN201810600169.9

    申请日:2018-06-12

    Abstract: 本发明实施例公开了一种三维打印机的打印控制系统及方法。所述系统包括:至少两个遮挡检测单元以及电机控制器,其中:所述遮挡检测单元固定设置于初始状态的三维打印机的打印平台所在平面的两侧,所述遮挡检测单元用于在所述三维打印机理想的打印平面的两侧进行遮挡检测;所述电机控制器,分别与所述三维打印机的打印平台电机以及所述遮挡检测单元相连;所述电机控制器,用于在所述三维打印机的工作过程中,根据所述遮挡检测单元的遮挡检测结果,对所述打印平台电机进行调整,以控制所述三维打印机实际的打印平面趋近于所述理想的打印平面。通过本发明实施例的技术方案,能够及时校准打印层厚,提高打印密度的均匀性,降低打印失败率。

Patent Agency Ranking