半导体器件总剂量辐射试验装置与方法

    公开(公告)号:CN114994483A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210379063.7

    申请日:2022-04-12

    Abstract: 本申请涉及一种半导体器件总剂量辐射试验装置与方法,包括与控制模块连接的真空试验箱、辐射应力模块与温度应力模块,被试验器件设置于真空试验箱;控制模块根据被试验器件的器件类型获取被试验器件所需的预设总剂量辐射应力与预设温度应力,并根据预设总剂量辐射应力输出辐射试验指令至辐射应力模块,根据预设温度应力输出温度试验指令至温度应力模块;辐射应力模块根据辐射试验指令对被试验器件进行总剂量辐射试验;温度应力模块根据温度试验指令对被试验器件进行高低温试验,为复杂辐射环境下的半导体器件提供更准确的地面模拟评估试验环境,避免过高估计其在复杂辐射环境下的寿命而导致使用时提前进入磨损期,发生性能参数异常与失效。

    系统级样品试验系统
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114354656B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202111486993.4

    申请日:2021-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种系统级样品试验系统,屏蔽体用于屏蔽辐射,屏蔽体内设有试验空间,屏蔽体包括用于开启或关闭试验空间的屏蔽门体,样品位移台可移动设置,使样品位移台能够进入或离开试验空间,样品位移台包括基座、样品台及调整机构,调整机构用于调整样品台相对基座的高度。可将样品位移台置于屏蔽体外,并将样品置于样品台上固定,利用调整机构预调整样品台上样品的高度,随后可将样品位移台移动至试验空间内,样品位移台移动至试验空间内后不再调整或只需进行细微调整样品的位置,可减少操作人员及样品位移台在试验空间内的停留时间,能够减少辐射试验对人体及样品位移台的伤害,具有更好的安全性。

    系统级样品试验系统及试验方法

    公开(公告)号:CN114354656A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111486993.4

    申请日:2021-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种系统级样品试验系统及试验方法,屏蔽体用于屏蔽辐射,屏蔽体内设有试验空间,屏蔽体包括用于开启或关闭试验空间的屏蔽门体,样品位移台可移动设置,使样品位移台能够进入或离开试验空间,样品位移台包括基座、样品台及调整机构,调整机构用于调整样品台相对基座的高度。可将样品位移台置于屏蔽体外,并将样品置于样品台上固定,利用调整机构预调整样品台上样品的高度,随后可将样品位移台移动至试验空间内,样品位移台移动至试验空间内后不再调整或只需进行细微调整样品的位置,可减少操作人员及样品位移台在试验空间内的停留时间,能够减少辐射试验对人体及样品位移台的伤害,具有更好的安全性。

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