-
公开(公告)号：CN113406044A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110689407.X
申请日：2021-06-22
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种利用液态金属针尖实现面积可控的自功率光电探测方法，通过使用液态金属镓铟合金(EGaIn)针尖，金属膜(Au or Ag)，和n型硅基底结构，在405 nm紫光或660 nm红光照射下，通过金属膜传导n型硅产生的光生载流子，可以提高光响应并实现自功率特性，通过压电控制EGaIn针尖和金属膜的微纳米级接触面积来实现I‑V曲线的调控，该技术对未来微型针尖阵列集成可变自功率光电探测器件提供了新的方法手段。
-
公开(公告)号：CN114203902B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010975692.7
申请日：2020-09-16
Applicant: 南开大学
IPC: H01L47/00
Abstract: 一种利用钙钛矿微米晶实现室温下负微分电阻（NDR）的方法，通过使用镓铟合金（EGaIn）针尖，CH3NH3PbBr3钙钛矿微米晶，和硅基底上的单层石墨烯组成三明治结构，在405nm紫光照射下，由于离子在电极/钙钛矿界面处的分离和累积产生的补偿电场屏蔽了外部施加的电场并增强了光生载流子的重组，使得I‑V曲线呈现出负微分电阻效应。该技术对未来新型集成半导体器件在室温高电压下能够稳定正常地工作提供了新的方法手段。
-
公开(公告)号：CN110455865A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910676318.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 南开大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种多级控制电极间距连续变化的机械可控裂结装置及方法，应用于分子电子学领域。主要包括以下装置：液压缸、活塞推杆、X轴线性位移台、多通道液压阀、支架、马达、螺旋推杆、钢片、支杆和底座；所述液压缸分为五个不同截面积的液压缸，通过四个较小截面积的液压缸中活塞的移动及阀门的关闭推动截面积最大的液压缸，以小截面积大位移控制大截面积小位移，以小推力控制大推力。作用于纳米裂结装置芯片，可实现以亚飞米级精度控制两电极间的距离，从而精密构筑分子结。本发明是一种新型的机械可控分子裂结(MCBJ)装置，与传统裂结装置相比，具有更长的位移和更精密的距离控制。
-
公开(公告)号：CN116156975B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211283831.5
申请日：2023-02-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种利用聚酰亚胺(英文名称为：polyimide简称PIs)高分子聚合物分子结实现室温下产生阻变效应，从而实现忆阻器功能的方法，其通过利用电子束曝光系统EBL在旋涂了polyimide(PMDA‑ODA)高分子聚合物的硅片上制备一个纳米级间隙金电极对的方法，在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上形成横向金‑空气‑金构型。在正向电压扫描的正偏压区域，由于在PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成了金颗粒组成的导电通道使电流发生突变形成低阻态LRS。在反向电压扫描的负偏压区域，由于PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成的导电通道破裂使电流发生剧烈的负微分电阻效应(NDR)形成高阻态HRS。这样的现象使得在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上的纳米级间隙金电极对的构型可以作为一种新的制备忆阻器元件的构型，为未来的电子存储设备提供了新的方法和手段。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110455865B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910676318.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 南开大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种多级控制电极间距连续变化的机械可控裂结装置及方法，应用于分子电子学领域。主要包括以下装置：液压缸、活塞推杆、X轴线性位移台、多通道液压阀、支架、马达、螺旋推杆、钢片、支杆和底座；所述液压缸分为五个不同截面积的液压缸，通过四个较小截面积的液压缸中活塞的移动及阀门的关闭推动截面积最大的液压缸，以小截面积大位移控制大截面积小位移，以小推力控制大推力。作用于纳米裂结装置芯片，可实现以亚飞米级精度控制两电极间的距离，从而精密构筑分子结。本发明是一种新型的机械可控分子裂结(MCBJ)装置，与传统裂结装置相比，具有更长的位移和更精密的距离控制。
-
公开(公告)号：CN116156975A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211283831.5
申请日：2023-02-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种利用聚酰亚胺(英文名称为：polyimide简称PIs)高分子聚合物分子结实现室温下产生阻变效应，从而实现忆阻器功能的方法，其通过利用电子束曝光系统EBL在旋涂了polyimide(PMDA‑ODA)高分子聚合物的硅片上制备一个纳米级间隙金电极对的方法，在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上形成横向金‑空气‑金构型。在正向电压扫描的正偏压区域，由于在PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成了金颗粒组成的导电通道使电流发生突变形成低阻态LRS。在反向电压扫描的负偏压区域，由于PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成的导电通道破裂使电流发生剧烈的负微分电阻效应(NDR)形成高阻态HRS。这样的现象使得在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上的纳米级间隙金电极对的构型可以作为一种新的制备忆阻器元件的构型，为未来的电子存储设备提供了新的方法和手段。
-
公开(公告)号：CN113406044B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110689407.X
申请日：2021-06-22
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种利用液态金属针尖实现面积可控的自功率光电探测方法，通过使用液态金属镓铟合金(EGaIn)针尖，金属膜(Au or Ag)，和n型硅基底结构，在405 nm紫光或660 nm红光照射下，通过金属膜传导n型硅产生的光生载流子，可以提高光响应并实现自功率特性，通过压电控制EGaIn针尖和金属膜的微纳米级接触面积来实现I‑V曲线的调控，该技术对未来微型针尖阵列集成可变自功率光电探测器件提供了新的方法手段。
-
公开(公告)号：CN114203902A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010975692.7
申请日：2020-09-16
Applicant: 南开大学
IPC: H01L47/00
Abstract: 一种利用钙钛矿微米晶实现室温下负微分电阻（NDR）的方法，通过使用镓铟合金（EGaIn）针尖，CH3NH3PbBr3钙钛矿微米晶，和硅基底上的单层石墨烯组成三明治结构，在405nm紫光照射下，由于离子在电极/钙钛矿界面处的分离和累积产生的补偿电场屏蔽了外部施加的电场并增强了光生载流子的重组，使得I‑V曲线呈现出负微分电阻效应。该技术对未来新型集成半导体器件在室温高电压下能够稳定正常地工作提供了新的方法手段。
-
公开(公告)号：CN113548642A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110822784.6
申请日：2021-07-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种片上连续可控间隙的石墨烯纳米电极对阵列的制备方法，涉及到的石墨烯芯片由压电片、聚酰亚胺和石墨烯电极组成，以压电片和聚酰亚胺作为基底，石墨烯电极通过吸附力固定在聚酰亚胺上方，所述石墨烯电极是通过镂空掩膜版和镀膜加工工艺将电极图形转移到石墨烯/PMMA上，利用反应离子刻蚀技术将石墨烯刻蚀成电极形状；通过调控施加在压电片上的电压使其沿水平方向膨胀伸长从而将石墨烯电极拉伸，同时利用电迁移法将石墨烯电极烧断形成间隙，通过压电片的膨胀和收缩来精密调节电极间的距离。该方法工艺简单、成本低廉，实现了可控间隙的石墨烯电极的片上大规模集成，为碳基分子电子器件的发展奠定了基础。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.015 seconds)
