公开(公告)号：CN114203902A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202010975692.7

申请日：2020-09-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 向东 ,  赵智宾 ,  倪立发 ,  李跃龙 ,  王文铎 ,  尹凯凯

IPC: H01L47/00

Abstract: 一种利用钙钛矿微米晶实现室温下负微分电阻（NDR）的方法，通过使用镓铟合金（EGaIn）针尖，CH3NH3PbBr3钙钛矿微米晶，和硅基底上的单层石墨烯组成三明治结构，在405nm紫光照射下，由于离子在电极/钙钛矿界面处的分离和累积产生的补偿电场屏蔽了外部施加的电场并增强了光生载流子的重组，使得I‑V曲线呈现出负微分电阻效应。该技术对未来新型集成半导体器件在室温高电压下能够稳定正常地工作提供了新的方法手段。

公开(公告)号：CN114203902B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202010975692.7

申请日：2020-09-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 向东 ,  赵智宾 ,  倪立发 ,  李跃龙 ,  王文铎 ,  尹凯凯

IPC: H01L47/00

Abstract: 一种利用钙钛矿微米晶实现室温下负微分电阻（NDR）的方法，通过使用镓铟合金（EGaIn）针尖，CH3NH3PbBr3钙钛矿微米晶，和硅基底上的单层石墨烯组成三明治结构，在405nm紫光照射下，由于离子在电极/钙钛矿界面处的分离和累积产生的补偿电场屏蔽了外部施加的电场并增强了光生载流子的重组，使得I‑V曲线呈现出负微分电阻效应。该技术对未来新型集成半导体器件在室温高电压下能够稳定正常地工作提供了新的方法手段。