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公开(公告)号：CN114203902A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010975692.7
申请日：2020-09-16
Applicant: 南开大学
IPC: H01L47/00
Abstract: 一种利用钙钛矿微米晶实现室温下负微分电阻（NDR）的方法，通过使用镓铟合金（EGaIn）针尖，CH3NH3PbBr3钙钛矿微米晶，和硅基底上的单层石墨烯组成三明治结构，在405nm紫光照射下，由于离子在电极/钙钛矿界面处的分离和累积产生的补偿电场屏蔽了外部施加的电场并增强了光生载流子的重组，使得I‑V曲线呈现出负微分电阻效应。该技术对未来新型集成半导体器件在室温高电压下能够稳定正常地工作提供了新的方法手段。
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公开(公告)号：CN106908623B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201710119943.X
申请日：2017-02-22
Applicant: 南开大学
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明公开了一种精密测量加速度的单分子装置及方法。本发明是利用机械可控裂结(MCBJ)技术、微纳加工工艺和分子自组装技术实现的。可运用于分子电子学、传感测量、及航空航天领域。利用微纳加工技术制作纳米电极芯片，利用MCBJ装置构筑间隙可控的单分子结，通过测量纳米粒子在纳米间隙中位置的相对移动而导致的隧穿电流的变化，精密测量对应的加速度值。由于隧穿电流值对隧穿距离的变化极其敏感(隧穿距离每变化0.1纳米，对应的隧穿电流可以变化1个数量级)，因此可以通过测量隧穿电流的变化，实现对不同加速度的精确探测。扩展了单分子器件的应用范围，为单分子器件的发展和分子电子学的发展提供了有价值的参考。
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公开(公告)号：CN113548642A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110822784.6
申请日：2021-07-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种片上连续可控间隙的石墨烯纳米电极对阵列的制备方法，涉及到的石墨烯芯片由压电片、聚酰亚胺和石墨烯电极组成，以压电片和聚酰亚胺作为基底，石墨烯电极通过吸附力固定在聚酰亚胺上方，所述石墨烯电极是通过镂空掩膜版和镀膜加工工艺将电极图形转移到石墨烯/PMMA上，利用反应离子刻蚀技术将石墨烯刻蚀成电极形状；通过调控施加在压电片上的电压使其沿水平方向膨胀伸长从而将石墨烯电极拉伸，同时利用电迁移法将石墨烯电极烧断形成间隙，通过压电片的膨胀和收缩来精密调节电极间的距离。该方法工艺简单、成本低廉，实现了可控间隙的石墨烯电极的片上大规模集成，为碳基分子电子器件的发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN112047296B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202010983285.0
申请日：2020-09-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 光控基底热膨胀实现原子开关，涉及分子电子学、纳米材料、化学等诸多领域，利用外加光使得基片上绝缘胶热膨胀，带动金属结两端电极的拉伸和压缩，实现光不接触式调控金属结电导值，通过改变光强和光照位置，金属结电导值变化幅度和方向也随之改变，实现了双向原子开关。解决了以往原子开关不易集成的不足，且实现过程耗能低、噪声小，有利于以后存储器和可编程开关等的集成应用。
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公开(公告)号：CN110125284A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910450800.6
申请日：2019-05-28
Applicant: 南开大学
IPC: B21F11/00
Abstract: 一种可控切割深度的批量环切金属丝的装置及方法，光学支架固定刀具，并将XZ二维平移台置于刀具的刀头下方，通过控制XZ二维平移台和固定在光学支架上的刀具之间的相对移动，实现批量环切金属丝，操控精度可达微米级别。该发明精确高效切割出的金属丝，可控切割深度，实现批量切割。再利用机械可控纳米裂结技术构建金属微纳电极，对于测量单分子特性，以及不同金属同分子之间耦合对于电子在分子中的传输具有重大意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107265396A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710360918.0
申请日：2017-05-13
Applicant: 南开大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00349 , B81C1/00134 , B81C1/00912
Abstract: 本发明公开了一种可精密控制纳米间隙的单层石墨烯电极的方法，以及构建以石墨烯为电极的单分子结的技术和工艺流程。本发明是利用单层薄膜制备工艺、微纳加工相关技术和机械可控裂结技术实现的。通过将制备的单层石墨烯芯片置于机械可控三点弯曲装置上，连续弯曲基板使得单层石墨烯断裂，形成可控纳米间隙的单层石墨烯电极对。最后通过利用酰胺共价键在间隙间连接有机分子来形成单层石墨烯单分子结。由于该方法可在皮米级别精确调控纳米间隙的大小来匹配分子长度，因此可以实现单层石墨烯单分子结的高效量产。而且单层石墨烯性质稳定，提高了单分子结器件的稳定性，为分子器件的工业化奠定了基础，在分子电子学的发展方面具有较大意义。
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公开(公告)号：CN110125284B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910450800.6
申请日：2019-05-28
Applicant: 南开大学
IPC: B21F11/00
Abstract: 一种可控切割深度的批量环切金属丝的装置及方法，光学支架固定刀具，并将XZ二维平移台置于刀具的刀头下方，通过控制XZ二维平移台和固定在光学支架上的刀具之间的相对移动，实现批量环切金属丝，操控精度可达微米级别。该发明精确高效切割出的金属丝，可控切割深度，实现批量切割。再利用机械可控纳米裂结技术构建金属微纳电极，对于测量单分子特性，以及不同金属同分子之间耦合对于电子在分子中的传输具有重大意义。
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公开(公告)号：CN107015301A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710255016.0
申请日：2017-04-13
Applicant: 南开大学
IPC: G02B5/18
CPC classification number: G02B5/1847 , G02B5/1857 , G02B5/1866 , G02B5/1871
Abstract: 本发明公开了一种温控双V形结构精密连续调节金属纳米光栅周期的装置及方法。本发明是利用温控的方法和微纳加工工艺实现的。可运用于光栅光学、微纳光学领域。利用微纳加工技术制作金属纳米光栅和双V形对称结构，利用双V形对称结构的温控作用实现对纳米光栅周期的精密调控。由于双V形对称结构在外加电压作用下产生焦耳热，温度升高会使得V形结构拉伸，可以在纳米级别的精度连续上改变光栅周期。扩展了温控V形对称结构的应用范围，为光栅光学和微纳光学的发展提供了有价值的参考。
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公开(公告)号：CN114203902B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010975692.7
申请日：2020-09-16
Applicant: 南开大学
IPC: H01L47/00
Abstract: 一种利用钙钛矿微米晶实现室温下负微分电阻（NDR）的方法，通过使用镓铟合金（EGaIn）针尖，CH3NH3PbBr3钙钛矿微米晶，和硅基底上的单层石墨烯组成三明治结构，在405nm紫光照射下，由于离子在电极/钙钛矿界面处的分离和累积产生的补偿电场屏蔽了外部施加的电场并增强了光生载流子的重组，使得I‑V曲线呈现出负微分电阻效应。该技术对未来新型集成半导体器件在室温高电压下能够稳定正常地工作提供了新的方法手段。
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公开(公告)号：CN112047296A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010983285.0
申请日：2020-09-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 光控基底热膨胀实现原子开关，涉及分子电子学、纳米材料、化学等诸多领域，利用外加光使得基片上绝缘胶热膨胀，带动金属结两端电极的拉伸和压缩，实现光不接触式调控金属结电导值，通过改变光强和光照位置，金属结电导值变化幅度和方向也随之改变，实现了双向原子开关。解决了以往原子开关不易集成的不足，且实现过程耗能低、噪声小，有利于以后存储器和可编程开关等的集成应用。
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