一种利用镀膜拉锥光纤实现分子结电导测量的方法

    公开(公告)号:CN115718205A

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202211484804.4

    申请日:2022-11-24

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种利用镀膜拉锥光纤实现分子结电导测量的方法,涉及分子电子学、光纤传感和化学领域。利用镀膜的光纤针尖代替扫描电子显微镜技术中的金针尖上电极,构建稳定的镀膜光纤针尖‑分子‑金基底分子结,实现分子电导值的测量,同时可以利用光纤激光器直接对光纤针尖加光,对分子电荷传输进行调控。本发明可以在测试过程中直接通过光纤针尖加光,研究光波导对分子电荷隧穿的调控效果,且光纤针尖可以很好的约束入射光斑面积,并使得光波导沿着分子结方向入射,而无需再外搭空间光路,提供了一种在测试分子电荷传输的同时外加光波导调控的方法。

    一种高分子聚合物为衬底材料实现忆阻器功能的方法

    公开(公告)号:CN116156975B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202211283831.5

    申请日:2023-02-16

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种利用聚酰亚胺(英文名称为:polyimide简称PIs)高分子聚合物分子结实现室温下产生阻变效应,从而实现忆阻器功能的方法,其通过利用电子束曝光系统EBL在旋涂了polyimide(PMDA‑ODA)高分子聚合物的硅片上制备一个纳米级间隙金电极对的方法,在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上形成横向金‑空气‑金构型。在正向电压扫描的正偏压区域,由于在PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成了金颗粒组成的导电通道使电流发生突变形成低阻态LRS。在反向电压扫描的负偏压区域,由于PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成的导电通道破裂使电流发生剧烈的负微分电阻效应(NDR)形成高阻态HRS。这样的现象使得在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上的纳米级间隙金电极对的构型可以作为一种新的制备忆阻器元件的构型,为未来的电子存储设备提供了新的方法和手段。

    基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115636389B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202211262272.X

    申请日:2022-10-14

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法,包括:压电片、驱动电极、绝缘层、带有预环切的金线;压电片为基片/衬底;压电片的上下表面均设置有驱动电极;绝缘层位于驱动电极的上层;带有预环切的金线固定在绝缘层上;当驱动电压施加至驱动电极时,所述压电片将发生横向/水平变形,固定在绝缘层上的金线被相应拉伸,精确控制纳米间隙大小。本发明通过使用水平方向膨胀的压电片构建具有埃级调节精度的原位可调片上金属纳米间隙,进一步发展为平面内的可控裂结;为以单分子作为构建模块制造出具有集成潜力的片上器件提供技术支撑。

    一种基于柔性材料的平面机械可控裂结技术

    公开(公告)号:CN115980131A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211311292.1

    申请日:2022-10-25

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 基于柔性薄膜材料制作的芯片,利用压电陶瓷产生的竖直方向的机械力,通过滑轨与压电陶瓷联用的方式,在水平方向上拉伸柔性基底,驱动该基底上的微结构拉伸或收缩,实现在水平方向上构建金属结的形成与断裂,该方法操作简单,成本低廉且克服了外加光场时光束聚焦的困难,利于获得单分子结,并对单分子特性特进行研究。

    一种基于柔性材料的平面机械可控裂结方法

    公开(公告)号:CN115980131B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202211311292.1

    申请日:2022-10-25

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 基于柔性薄膜材料制作的芯片,利用压电陶瓷产生的竖直方向的机械力,通过滑轨与压电陶瓷联用的方式,在水平方向上拉伸柔性基底,驱动该基底上的微结构拉伸或收缩,实现在水平方向上构建金属结的形成与断裂,该方法操作简单,成本低廉且克服了外加光场时光束聚焦的困难,利于获得单分子结,并对单分子特性特进行研究。

    基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115636389A

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202211262272.X

    申请日:2022-10-14

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法,包括:压电片、驱动电极、绝缘层、带有预环切的金线;压电片为基片/衬底;压电片的上下表面均设置有驱动电极;绝缘层位于驱动电极的上层;带有预环切的金线固定在绝缘层上;当驱动电压施加至驱动电极时,所述压电片将发生横向/水平变形,固定在绝缘层上的金线被相应拉伸,精确控制纳米间隙大小。本发明通过使用水平方向膨胀的压电片构建具有埃级调节精度的原位可调片上金属纳米间隙,进一步发展为平面内的可控裂结;为以单分子作为构建模块制造出具有集成潜力的片上器件提供技术支撑。

    一种高分子聚合物为衬底材料实现忆阻器功能的方法

    公开(公告)号:CN116156975A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202211283831.5

    申请日:2023-02-16

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种利用聚酰亚胺(英文名称为:polyimide简称PIs)高分子聚合物分子结实现室温下产生阻变效应,从而实现忆阻器功能的方法,其通过利用电子束曝光系统EBL在旋涂了polyimide(PMDA‑ODA)高分子聚合物的硅片上制备一个纳米级间隙金电极对的方法,在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上形成横向金‑空气‑金构型。在正向电压扫描的正偏压区域,由于在PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成了金颗粒组成的导电通道使电流发生突变形成低阻态LRS。在反向电压扫描的负偏压区域,由于PMDA‑ODA高分子聚合物表层形成的导电通道破裂使电流发生剧烈的负微分电阻效应(NDR)形成高阻态HRS。这样的现象使得在PMDA‑ODA高分子聚合物基底上的纳米级间隙金电极对的构型可以作为一种新的制备忆阻器元件的构型,为未来的电子存储设备提供了新的方法和手段。

Patent Agency Ranking